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1. (WO2007007456) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/007456    International Application No.:    PCT/JP2006/308814
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 27.04.2006
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/20 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0004 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKURADA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUSEGAWA, Izumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKURADA, Masahiro; (JP).
FUSEGAWA, Izumi; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku, Tokyo 110-0005 (JP)
Priority Data:
2005-204207 13.07.2005 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN MONOCRISTAL
(JA) 単結晶の製造方法
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a process for producing a single crystal by a Chokralsky method in which a horizontal magnetic field is applied, characterized in that a single crystal is pulled up so that the radial magnetic field strength gradient &Dgr;Br/&Dgr;Rc in such a direction that centers of magnetic field generation coils (25) are connected, is more than 5.5 (gauss/mm) and not more than 10 (gauss/mm) wherein &Dgr;Br represents the amount of a variation in magnetic field strength from an original point (O) as the center part on a solid-liquid interface of a single crystal (12) to the inner wall (A) of a crucible on the surface of a melt, gauss; and &Dgr;Rc represents a radial distance from the original point (O) to the inner wall (A) of the crucible on the surface of the melt, mm. According to the production process of a single crystal, in growing a single crystal, the variation in temperature gradient near the solid-liquid interface can be minimized, and a high-quality single crystal having a desired defect zone in the direction of crystal growth can easily be produced with high productivity at high yield.
(FR)Cette invention concerne un procédé permettant de produire un monocristal selon la technique de Chokralsky qui applique un champ magnétique horizontal. Ce procédé se caractérise en ce qu’un monocristal est tiré, de manière à ce qu’un gradient d’intensité de champ magnétique radial &Dgr;Br/&Dgr;Rc, dans une direction telle que les centres des bobines de génération de champ magnétique (25) sont reliées, soit supérieur à 5,5 (gauss/mm) et inférieur ou égale à 10 (gauss/mm), &Dgr;Br représentant la quantité d’une variation dans l’intensité du champ magnétique depuis un point initial (O), correspondant à la partie centrale sur une interface solide-liquide d’un monocristal (12), jusqu’à la paroi interne (A) d’un creuset se trouvant sur la surface d’une fonte, gauss ; et &Dgr;Rc représentant une distance radiale allant du point initial (O) à la paroi interne (A) du creuset se trouvant sur la surface de la coulée, mm. Selon le procédé de production d’un monocristal, dans un monocristal croissant, la variation du gradient de température à proximité de l’interface solide-liquide peut être minimisé, et un monocristal de qualité supérieure présentant une zone de défaut désirée dans la direction de la croissance du cristal peut facilement être produit avec une productivité et un rendement élevés.
(JA)not available
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)