PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Tuesday 19.11.2019 at 4:00 PM CET
Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2007007451) MULTILAYER WIRING BOARD AND FABRICATION METHOD THEREOF
Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

請求の範囲

[1] 複数の基材層を積層してなる積層体と、この積層体内に設けられた配線パターンと

、を備えた多層配線基板において、上記複数の基材層のうち少なくとも一層には、上 記配線パターンとして、上記基材層を上下に貫通する貫通ビアホール導体と、この貫 通ビアホール導体に同一基材層内で電気的に接続され且つ上記基材層を貫通しな

V、半貫通ビアホール導体と、を有することを特徴とする多層配線基板。

[2] 上記半貫通ビアホール導体は、複数の半貫通ビアホール導体が連設されてなる半 貫通連続ビアホール導体であることを特徴とする請求項 1に記載の多層配線基板。

[3] 上記貫通ビアホール導体と上記半貫通連続ビアホール導体とを有する基材層は、 上記積層体の最表層に設けられていることを特徴とする請求項 2に記載の多層配線 基板。

[4] 上記貫通ビアホール導体と上記半貫通連続ビアホール導体とを有する基材層は、 上記半貫通連続ビアホール導体が形成されて、る側を内面とするようにして、上記 積層体の最上層に設けられており、上記貫通ビアホール導体の上記最上層の表面 に表れた端面は、上記最上層の表面に搭載される表面実装部品の接続用端子が接 続できるように配置されてヽることを特徴とする請求項 3に記載の多層配線基板。

[5] 上記貫通ビアホール導体は、上記積層体内にて、上記半貫通連続ビアホール導 体を介して、上記基材層の平面方向に延びる面内導体に接続されていることを特徴 とする請求項 2〜請求項 4のいずれ力 1項に記載の多層配線基板。

[6] 上記貫通ビアホール導体は、互いに隣接する第 1貫通ビアホール導体及び第 2貫 通ビアホール導体を含み、上記第 1貫通ビアホール導体に接続されている第 1半貫 通連続ビアホール導体は、上記第 2貫通ビアホール導体力遠ざ力る方向に延設さ れてヽることを特徴とする請求項 2〜請求項 5の、ずれか 1項に記載の多層配線基 板。

[7] 上記第 2貫通ビアホール導体に接続されている第 2半貫通連続ビアホール導体は 、上記第 1貫通ビアホール導体力遠ざ力る方向に延設されていることを特徴とする 請求項 6に記載の多層配線基板。

[8] 上記貫通ビアホール導体は、上記第 1貫通ビアホール導体または上記第 2貫通ビ ァホール導体に隣接する第 3貫通ビアホール導体を含み、上記第 3貫通ビアホール 導体に接続されている第 3半貫通連続ビアホール導体は、上記第 1貫通ビアホール 導体及び第 2貫通ビアホール導体から遠ざかる方向に延設されていることを特徴とす る請求項 6または請求項 7に記載の多層配線基板。

[9] 上記基材層は、低温焼結セラミック材料力もなり、上記配線パターンは、銀または銅 を主成分とする導電性材料からなることを特徴とする請求項 1〜請求項 8のいずれか

1項に記載の多層配線基板。

[10] 複数の基材層を積層してなる積層体と、この積層体内に設けられた配線パターンと

、を有する多層配線基板を製造するに際し、

複数の基材層のうち少なくとも一層に、上記基材層の上下を貫通する貫通孔と、こ の貫通孔に連設され且つ上記基材層を貫通しない半貫通孔を形成する第 1の工程 と、

上記貫通孔及び上記半貫通孔に導電性材料を充填することにより、上記配線バタ ーンとしての貫通ビアホール導体及び半貫通ビアホール導体を形成する第 2の工程 と、

を備えたことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

[11] 上記半貫通孔を、複数の半貫通孔が連設されてなる半貫通連続孔とし、この半貫 通連続孔を基に半貫通連続ビアホール導体を形成することを特徴とする請求項 10 に記載の多層配線基板の製造方法。

[12] 上記基材層にレーザを照射することにより、上記貫通孔及び半貫通連続孔を形成 することを特徴とする請求項 11に記載の多層配線基板の製造方法。

[13] 上記基材層はキャリアフィルムによって支持されており、キャリアフィルム側からレー ザを照射することにより、上記貫通孔及び半貫通連続孔を形成することを特徴とする 請求項 12に記載の多層配線基板の製造方法。

[14] 上記基材層は、キャリアフィルムによって支持されており、上記基材層側からレーザ を照射することにより、上記貫通孔及び半貫通連続孔を形成することを特徴とする請 求項 12に記載の多層配線基板の製造方法。

[15] 上記第 1、第 2の工程における基材層は、未焼成のセラミックシートであり、この基材 層を含む未焼成の積層体を作製した後、上記未焼成の積層体を焼成する第 3のェ 程を備えたことを特徴とする請求項 10〜請求項 14のいずれか 1項に記載の多層配 線基板の製造方法。