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1. (WO2007006914) METHOD FOR ASSEMBLING SUBSTRATES BY DEPOSITING AN OXIDE OR NITRIDE THIN BONDING LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/006914    International Application No.:    PCT/FR2006/001596
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 05.07.2006
IPC:
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/78 (2006.01), H01L 21/58 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25, rue Leblanc, Immeuble "Le Ponant D", F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
DI CIOCCIO, Léa [FR/FR]; (FR) (For US Only).
KOSTRZEWA, Marek [PL/FR]; (FR) (For US Only).
ZUSSY, Marc [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DI CIOCCIO, Léa; (FR).
KOSTRZEWA, Marek; (FR).
ZUSSY, Marc; (FR)
Agent: SANTARELLI; B.P. 237, 14, avenue de la Grande-Armée, F-75822 Paris Cedex 17 (FR)
Priority Data:
0507206 06.07.2005 FR
Title (EN) METHOD FOR ASSEMBLING SUBSTRATES BY DEPOSITING AN OXIDE OR NITRIDE THIN BONDING LAYER
(FR) PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS PAR DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE COLLAGE D'OXYDE OU DE NITRURE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for assembling by molecular bonding two substrates, at least one of which is made of a semiconductor material characterised in that one of substrates, called a first substrate, comprises a surface (A), whose at least one part is flat and provided with an initial surface roughness compatible with the molecular bonding. The inventive method consists in depositing a thin oxide or nitride bonding layer (16a, 16b), whose thickness ranges from 10 to 20 nm, on at least one portion (14a, 14b) of the surface flat part (A) of the first substrate for carrying out a molecular bonding without pre-polishing, in saturating the thin bonding layer with hydroxyl groups, in bringing the thin bonding layer (16a, 16b) saturated with hydroxyl groups into contact with the second substrate (10) surface (B) which is at least locally flat with respect to the flat part of the surface (A) and saturated with hydroxyl groups and in carrying out a hydrophilic molecular bonding between said two substrates.
(FR)L'invention concerne un procédé d'assemblage par collage moléculaire de deux substrats dont au moins un est réalisé dans un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que l'un des substrats, appelé premier substrat, comporte une surface (A) dont au moins une partie est plane et dotée d'une rugosité initiale de surface compatible avec le collage moléculaire, le procédé comportant les étapes suivantes : - dépôt, sur au moins une portion (14a, 14b) de la partie plane de la surface (A) du premier substrat, d'une couche mince (16a, 16b) de collage d'oxyde ou de nitrure d'épaisseur comprise entre 10 et 20 nm pour permettre un collage moléculaire sans étape préalable de polissage, - saturation en groupements hydroxyles de la couche mince de collage, - mise en contact de la couche mince (16a, 16b) de collage saturée en groupements hydroxyles avec une surface (B) du deuxième substrat (10), au moins localement plane en regard de la portion de la partie plane de la surface (A) et saturée en groupements hydroxyles, - collage moléculaire de type hydrophile entre les deux substrats.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)