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1. (WO2007006803) METHOD FOR REDUCING ROUGHNESS OF A THICK INSULATING LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/006803    International Application No.:    PCT/EP2006/064169
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 12.07.2006
IPC:
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
DAVAL, Nicolas [FR/FR]; (FR) (For US Only).
KERDILES, Sébastien [FR/FR]; (FR) (For US Only).
AULNETTE, Cécile [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DAVAL, Nicolas; (FR).
KERDILES, Sébastien; (FR).
AULNETTE, Cécile; (FR)
Agent: Cabinet REGIMBEAU; Espace Performance, Bâtiment K, F-35769 Saint Grégoire Cedex, (FR)
Priority Data:
05/07573 13.07.2005 FR
Title (EN) METHOD FOR REDUCING ROUGHNESS OF A THICK INSULATING LAYER
(FR) PROCEDE DE DIMINUTION DE LA RUGOSITE D'UNE COUCHE EPAISSE D'ISOLANT
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for making a substrate adapted to be used in the field of electronics, optoelectronics and optics, characterized in that it includes at least the following successive steps: a) depositing on a donor substrate (1) an insulating layer (2) whereof the thickness is not less than 20 nm and whereof the roughness is not less than 3 angstroms RMS, for a sweep of 2 $g(m)m x 2 $g(m)m; b) smoothing treatment (SP) of the free surface (20) of said insulating layer (2), using a gas plasma, formed in a chamber under gas pressure higher than 0.25 Pa, said plasma being generated by means of a radio frequency RF generator, which enables said insulating layer (2) to be imparted with a power density higher than 0.6 W/cm2, the duration of said smoothing treatment being not less than 10 seconds; c) forming a weakened zone (10) by implanting atomic species, inside said donor substrate (1), to delimit therein a so-called 'active' layer (11) and a residue (12).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat apte à être utilisé dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique et l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes, réalisées dans cet ordre : a) le dépôt, sur un substrat donneur (1), d'une couche d'isolant (2) dont l'épaisseur est supérieure ou égale à 20 nm et dont la rugosité est supérieure ou égale à 3 angströms RMS, pour un balayage de 2 µm x 2 µm, b) traitement de lissage (SP) de la surface libre (20) de cette couche d'isolant (2), en utilisant un plasma gazeux, formé dans une enceinte sous une pression de gaz supérieure à 0,25 Pa, ce plasma étant créé à l'aide d'un générateur de radiofréquences RF, qui permet d'appliquer à ladite couche d'isolant (2), une densité de puissance supérieure à 0,6 W/cm2, la durée de ce traitement de lissage étant d'au moins 10 secondes, c) formation d'une zone de fragilisation (10) par implantation d'espèces atomiques, à l'intérieur dudit substrat donneur (1), pour y délimiter une couche (11), dite 'active' et un reste (12).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)