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1. (WO2007006552) THZ-TRANSMITTER AND THZ-RECEIVER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/006552    International Application No.:    PCT/EP2006/006782
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 11.07.2006
IPC:
H01Q 9/28 (2006.01), H01Q 9/16 (2006.01)
Applicants: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BRAUNSCHWEIG [DE/DE]; Pockelstrasse 14, 38106 Braunschweig (DE) (For All Designated States Except US).
ENDERS, Achim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KOCH, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JÖRDENS, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ENDERS, Achim; (DE).
KOCH, Martin; (DE).
JÖRDENS, Christian; (DE)
Agent: ENDERS, Monika U.; Zenz, Helber, Hosbach & Partner GbR, Huyssenallee 58-64, 45128 Essen (DE)
Priority Data:
10 2005 032 900.4 12.07.2005 DE
Title (DE) THZ-SENDER UND THZ-EMPFÄNGER
(EN) THZ-TRANSMITTER AND THZ-RECEIVER
(FR) EMETTEUR THZ ET RECEPTEUR THZ
Abstract: front page image
(DE)Der THz -Sender umfaßt eine als Antenne wirkende erste Leitungsstruktur (2), die einen Fußpunkt aufweist, an dem zwei Kontakte (24; 25) angeordnet sind. Zwischen den beiden Kontakten (24; 25) des Fußpunktes ist ein Halbleiterbereich vorgesehen, der ein photoleitendes Halbleitermaterial enthält. Eine Lichtquelle ist derart angeordnet und ausgebildet, daß Lichtimpulse auf den Halbleiterbereich gestrahlt werden können. Eine ein elektrisches Feld in dem Halbleitermaterial bewirkende Potentialdifferenz wird zwischen den beiden Kontakten (24; 25) des Fußpunktes erzeugt. Erfindungsgemäß sind drei weitere Leitungsstrukturen (22a) vorgesehen, die mit Abstand zum Fußpunkt angeordnet sind und derart ausgebildet und mit der ersten Leitungsstruktur (2) gekoppelt sind, daß am Fußpunkt der wirksame Strahlungswiderstand für wenigstens diejenige Frequenz in dem Höchstfrequenzbereich erhöht wird, bei der die maximale Abstrahlleistung erzielt wird. Mit dem erfindungsgemäßen THzSender gelingt es, eine im Vergleich zu bekannten THz-Sendern wesentlich höhere Leistung abzustrahlen. Darüber hinaus wird ein entsprechender THz-Empfänger zur Verfügung gestellt, mit dem die Empfangsleistung deutlich erhöht werden kann.
(EN)The THz transmitter is provided with a first conductor structure (2) comprising a base, on which two contacts (24; 25) are arranged. A semiconductor area provided with a photoconductive semiconductor material is arranged between said two contacts (24; 25). A light source is positioned and formed in such a way that light pulses are rayed to the semiconductor area. An electric field is formed by a potential difference produced in the semiconductor material between the two contacts (24; 25) of the base. The invention is characterised in that three other conductor structures (22a) remote from the base are provided, formed and coupled with the first conductor structure (2) in such a way that an efficient radiation resistance on the base is increased in a maximum frequency area for at least one frequency, thereby making it possible to obtain the maximum radiation power thereof. The inventive THz transmitter makes it possible to transmit a substantially greater radiation with respect to known transmitters of said type. A corresponding THz receiver delivering a substantially greater receiving power is also disclosed.
(FR)L'émetteur THZ comprend une première structure conductrice (2) présentant une base sur laquelle sont disposés deux contacts (24; 25). Il est prévu, entre les deux contacts (24; 25) de la base, une zone semi-conductrice qui renferme un matériau semi-conducteur photoconducteur. Une source lumineuse est disposée et configurée de telle façon que des impulsions lumineuses puissent être irradiées sur la zone semi-conductrice. Une différence de potentiel créant un champ électrique dans le matériau semi-conducteur est produite entre les deux contacts (24; 25) de la base. L'invention est caractérisée en ce qu'il est prévu trois autres structures conductrices (22a) qui sont disposées à distance de la base et qui sont configurées et couplées avec la première structure conductrice (2), de telle façon qu'à la base, la résistance de rayonnement efficace soit augmentée dans la zone des fréquences maximales, pour au moins la fréquence pour laquelle on obtient la puissance de rayonnement maximale. Grâce à l'émetteur THz selon l'invention, il est possible d'émettre un rayonnement d'une puissance sensiblement plus élevée, comparativement aux émetteurs THz de types connus. En outre, on dispose d'un récepteur THz correspondant qui fournit une puissance de réception sensiblement plus élevée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)