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1. (WO2007006505) SEMICONDUCTOR POWER DEVICE WITH MULTIPLE DRAIN STRUCTURE AND CORRESPONDING MANUFACTURING PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/006505    International Application No.:    PCT/EP2006/006673
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 07.07.2006
Chapter 2 Demand Filed:    08.05.2007    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Applicants: STMICROELECTRONICS S.R.L. [IT/IT]; Via C. Olivetti, 2, I-20041 Agrate Brianza (IT) (For All Designated States Except US).
SAGGIO, Mario, Giuseppe [IT/IT]; (IT) (For US Only).
FRISINA, Ferruccio [IT/IT]; (IT) (For US Only).
RASCUNA, Simone [IT/IT]; (IT) (For US Only)
Inventors: SAGGIO, Mario, Giuseppe; (IT).
FRISINA, Ferruccio; (IT).
RASCUNA, Simone; (IT)
Agent: BOTTI, Mario; Botti & Ferrari S.r.l., Via Locatelli, 5, I-20124 Milan (IT).
FERRARI, Barbara; Botti & Ferrari S.r.l., Via Locatelli, 5, I-20124 Milano (IT)
Priority Data:
05425494.1 08.07.2005 EP
Title (EN) SEMICONDUCTOR POWER DEVICE WITH MULTIPLE DRAIN STRUCTURE AND CORRESPONDING MANUFACTURING PROCESS
(FR) DISPOSITIF DE PUISSANCE A SEMI-CONDUCTEUR DOTE D'UNE STRUCTURE A DRAINS MULTIPLES, ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)Process for manufacturing a multi-drain power electronic device (30) integrated on a semiconductor substrate (100) of a first type of conductivity whereon a drain semiconductor layer (20) is formed, characterised in that it comprises the following steps: forming at least a first semiconductor epitaxial layer (21) of the first type of conductivity forming the drain epitaxial layer (20) on the semiconductor substrate (100) , forming first sub-regions (51) of a second type of conductivity by means of a first selective implant step forming second sub-regions (Dl, DIa) of the first type of conductivity by means of a second implant step forming a surface semiconductor layer (23) wherein body regions (40) of the second type of conductivity are formed being aligned with the first sub-regions (51) , carrying out a thermal diffusion process so that the first sub-regions (51) form a single electrically continuous column region (50) being aligned and in electric contact with the body regions (40).
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de fabriquer un dispositif électronique de puissance à drains multiples (30), intégré sur un substrat semi-conducteur (100) d'un premier type de conductivité sur lequel est formée une couche semi-conductrice de drain (20). Le procédé selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant : à former au moins une première couche épitaxiale semi-conductrice (21) dudit premier type de conductivité ; à former la couche épitaxiale de drain (20) sur le substrat semi-conducteur (100) ; à former des premières sous-zones (51) d'un second type de conductivité à l'aide d'une première étape d'implantation sélective ; à former des secondes sous-zones (D1, D1a) du premier type de conductivité à l'aide d'une seconde étape d'implantation ; à former une couche semi-conductrice de surface (23), des zones de corps (40) du second type de conductivité étant formées de façon qu'elles soient alignées avec les premières sous-zones (51) ; à exécuter un processus de diffusion thermique, de manière que les premières sous-zones (51) forment une unique zone de colonne électriquement continue (50), alignée et en contact électrique avec les zones de corps (40).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)