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1. WO2007006381 - COMBINED ETCHING AND DOPING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE LAYERS AND SUBJACENT SILICON

Publication Number WO/2007/006381
Publication Date 18.01.2007
International Application No. PCT/EP2006/005628
International Filing Date 13.06.2006
IPC
C CHEMISTRY; METALLURGY
03
GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
C
CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
15
Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
C03C 15/00 (2006.01)
CPC
C03C 17/23
C03C 17/3411
C03C 2218/33
C09K 13/04
C09K 13/06
H01L 31/1804
Applicants
  • MERCK PATENT GMBH [DE/DE]; Frankfurter Str. 250 64293 Darmstadt, DE (AllExceptUS)
  • KUEBELBECK, Armin [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STOCKUM, Werner [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors
  • KUEBELBECK, Armin; DE
  • STOCKUM, Werner; DE
Common Representative
  • MERCK PATENT GMBH; Frankfurter Str. 250 64293 Darmstadt, DE
Priority Data
10 2005 032 807.512.07.2005DE
Publication Language German (DE)
Filing Language German (DE)
Designated States
Title
(DE) KOMBINIERTE ÄTZ- UND DOTIERMEDIEN FÜR SILIZIUMDIOXIDSCHICHTEN UND DARUNTER LIEGENDES SILIZIUM
(EN) COMBINED ETCHING AND DOPING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE LAYERS AND SUBJACENT SILICON
(FR) AGENTS DE GRAVURE ET DE DOPAGE COMBINES POUR DES COUCHES DE DIOXYDE DE SILICIUM ET LE SILICIUM SITUE EN DESSOUS
Abstract
(DE)
Die vorliegende Erfindung betrifft einerseits HF/Fluorid-freie Atz- und Dotiermedien, welche sowohl zum Atzen von Siliziumdioxidschichten als auch zum Dotieren darunter liegender Siliziumschichten geeignet sind. Andererseits betrifft die vorliegende Erfindung auch ein Verfahren, in dem diese Medien eingesetzt werden.
(EN)
The invention relates to HF/fluoride-free etching and doping media which are suitable for etching silicon dioxide layers and doping subjacent silicon layers. The invention also relates to a method in which said media are used.
(FR)
La présente invention concerne, d'une part, des agents de gravure et de dopage sans HF/fluorure, convenant aussi bien à la gravure de couches de dioxyde de silicium qu'au dopage de couches de silicium situées en dessous. Cette invention concerne, d'autre part, un procédé dans lequel ces agents sont utilisés.
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