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1. (WO2007006381) COMBINED ETCHING AND DOPING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE LAYERS AND SUBJACENT SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/006381    International Application No.:    PCT/EP2006/005628
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 13.06.2006
IPC:
C03C 15/00 (2006.01)
Applicants: MERCK PATENT GMBH [DE/DE]; Frankfurter Str. 250, 64293 Darmstadt (DE) (For All Designated States Except US).
KUEBELBECK, Armin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STOCKUM, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KUEBELBECK, Armin; (DE).
STOCKUM, Werner; (DE)
Common
Representative:
MERCK PATENT GMBH; Frankfurter Str. 250, 64293 Darmstadt (DE)
Priority Data:
10 2005 032 807.5 12.07.2005 DE
Title (DE) KOMBINIERTE ÄTZ- UND DOTIERMEDIEN FÜR SILIZIUMDIOXIDSCHICHTEN UND DARUNTER LIEGENDES SILIZIUM
(EN) COMBINED ETCHING AND DOPING MEDIA FOR SILICON DIOXIDE LAYERS AND SUBJACENT SILICON
(FR) AGENTS DE GRAVURE ET DE DOPAGE COMBINES POUR DES COUCHES DE DIOXYDE DE SILICIUM ET LE SILICIUM SITUE EN DESSOUS
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft einerseits HF/Fluorid-freie Atz- und Dotiermedien, welche sowohl zum Atzen von Siliziumdioxidschichten als auch zum Dotieren darunter liegender Siliziumschichten geeignet sind. Andererseits betrifft die vorliegende Erfindung auch ein Verfahren, in dem diese Medien eingesetzt werden.
(EN)The invention relates to HF/fluoride-free etching and doping media which are suitable for etching silicon dioxide layers and doping subjacent silicon layers. The invention also relates to a method in which said media are used.
(FR)La présente invention concerne, d'une part, des agents de gravure et de dopage sans HF/fluorure, convenant aussi bien à la gravure de couches de dioxyde de silicium qu'au dopage de couches de silicium situées en dessous. Cette invention concerne, d'autre part, un procédé dans lequel ces agents sont utilisés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)