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1. (WO2007006337) A TEMPERATURE SENSING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/006337    International Application No.:    PCT/EP2005/009174
Publication Date: 18.01.2007 International Filing Date: 13.07.2005
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 7700 West Parmer Lane, Austin, Texas 78729 (US) (For All Designated States Except US).
REYNES, Jean-Michel [FR/FR]; (FR) (For US Only).
DERAM, Alain, J [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MARTY, Eric [FR/FR]; (FR) (For US Only).
SAUVEPLANE, Jean-Baptiste [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: REYNES, Jean-Michel; (FR).
DERAM, Alain, J; (FR).
MARTY, Eric; (FR).
SAUVEPLANE, Jean-Baptiste; (FR)
Priority Data:
Title (EN) A TEMPERATURE SENSING DEVICE
(FR) SONDE DE TEMPERATURE
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to an integrated device, comprising a semiconductor device (30) formed on a semiconductor substrate(4), a temperature sensing element (15) formed on the semiconductor substrate (4), an electrically insulating layer (16) formed over the temperature sensing element (15), and a metal layer (20) formed over the insulation layer (16) and substantially covering the semiconductor device (30) and the temperature sensing element (15). The present invention also relates to a method of forming a temperature sensing element (15) for integration with a semiconductor device (30).
(FR)La présente invention concerne un dispositif intégré, comprenant un dispositif semi-conducteur (30) formé sur un substrat semi-conducteur (4), un élément de détection de température (15) formé sur le substrat semi-conducteur (4), une couche d'isolation électrique (16) formée sur l'élément de détection de température (15), ainsi qu'une couche métallique (20) formée sur la couche d'isolation électrique (16) et couvrant sensiblement le dispositif semi-conducteur (30) et l'élément de détection de température (15). La présente invention concerne également un procédé destiné à la formation d'un élément de détection de température (15) conçu pour être intégré dans un dispositif semi-conducteur (30).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)