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1. (WO2007005864) COMPLETE POWER MANAGEMENT SYSTEM IMPLEMENTED IN A SINGLE SURFACE MOUNT PACKAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/005864    International Application No.:    PCT/US2006/026033
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 30.06.2006
IPC:
H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: OWYANG, King [US/US]; (US).
KUO, Frank [CN/CN]; (CN).
KUO, Sam [CN/CN]; (CN).
KASEM, Mohammed [--/US]; (US).
MAO, Sen [CN/CN]; (CN).
BAI, Yuming [CN/US]; (US)
Inventors: OWYANG, King; (US).
KUO, Frank; (CN).
KUO, Sam; (CN).
KASEM, Mohammed; (US).
MAO, Sen; (CN).
BAI, Yuming; (US)
Agent: BERG, Richard, P.; Ladas & Parry LLP, 5670 Wilshire Boulevard, Ste. 2100, Los Angeles, California 90036 (US)
Priority Data:
60/696,037 01.07.2005 US
Title (EN) COMPLETE POWER MANAGEMENT SYSTEM IMPLEMENTED IN A SINGLE SURFACE MOUNT PACKAGE
(FR) SYSTEME DE GESTION DE PUISSANCE COMPLET DANS UN BOITIER A MONTAGE SUR SIMPLE SURFACE
Abstract: front page image
(EN)A complete power management system implemented in a single surface mount package. The system may be drawn to a DC to DC converter system and includes, in a leadless surface mount package, a driver/controller, a MOSFET transistor, passive components (e.g., inductor, capacitor, resistor), and optionally a diode. The MOSFET transistor may be replaced with an insulated gate bipolar transistor, IGBT in various embodiments. The system may also be a power management system, a smart power module or a motion control system. The passive components may be connected between the leadframe connections. The active components may be coupled to the leadframe using metal clip bonding techniques. In one embodiment, an exposed metal bottom may act as an effective heat sink.
(FR)La présente invention concerne un système de gestion de puissance complet mis en place dans un boîtier à montage sur simple surface. Le système peut s'appliquer à un système de convertisseur continu à continu et comprend, dans un boîtier à montage en surface sans conducteur, un dispositif pilote/dispositif de commande, un transistor MOSFET, des composants passifs (par ex. inducteur, condensateur, résistance), et éventuellement une diode. Le transistor MOSFET peut être remplacé par un transistor bipolaire à porte isolée, IGBT dans différents modes de réalisation. Le système peut également être un système de gestion de puissance, un module à puissance intelligente (smart power) ou un système de commande de mouvement. Les composants passifs peuvent être connectés entre les connexions du réseau de conducteurs. Les composants actifs peuvent être couplés au réseau de conducteurs au moyen de technique de liaison par clip métallique. Dans un mode de réalisation, un fond métallique exposé peut servir de puis thermique efficace.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)