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1. (WO2007005826) SEMICONDUCTOR DEVICE FOR A TUNER AND DIVERSITY RECEIVER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/005826    International Application No.:    PCT/US2006/025971
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 30.06.2006
IPC:
H04B 7/08 (2006.01), H04B 1/26 (2006.01), H04B 1/16 (2006.01), H04M 1/00 (2006.01), H03B 5/12 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (For All Designated States Except US).
MAEJIMA, Hideyuki (JP) [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MAEJIMA, Hideyuki (JP); (JP)
Agent: FRANZ, Warren, L.; TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, Deputy General Patent Counsel, P.O. BOX 655474, M/S 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
2005-191278 30.06.2005 JP
11/427,579 29.06.2006 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FOR A TUNER AND DIVERSITY RECEIVER
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR POUR SYNTONISEUR ET DISPOSITIF DE RECEPTION EN DIVERSITE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device for a tuner (200) generates a local oscillation signal inside (OSC IN10) or selects a local oscillation signal introduced from the outside (OSC EX10), and controls the power consumption of the circuit used for generating the local oscillation signal. The diversity receiver constituted using the semiconductor device has semiconductor device 1 selected to generate a local oscillation signal inside and semiconductor device 2 selected to introduce a local oscillation signal from the outside. The local oscillation signal (OSC EX10) of the semiconductor device 2 is driven by the local oscillation signal (OSC IN10) of the semiconducto device 1. Consequently, any unnecessary power consumption of the circuit generating the local oscillation signal of semiconductor device 2 can be reduced. In addition, since they are the same type of semiconductor device, the uniformity of the operating characteristics of the diversity receiver can be improved.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semiconducteur pour syntoniseur qui produit un signal d'oscillation local à l'intérieur ou qui sélectionne un signal d'oscillation local introduit depuis l'extérieur, et régule la consommation d'énergie du circuit utilisé pour produire le signal d'oscillation local. L'invention concerne un dispositif de réception en diversité dans lequel est utilisé le dispositif à semiconducteur précité, qui comprend un dispositif à semiconducteur (1) choisi pour produire un signal d'oscillation local à l'intérieur et un dispositif à semiconducteur (2) choisi pour introduire un signal d'oscillation local depuis l'extérieur. Le signal d'oscillation local du dispositif à semiconducteur (2) est commandé par le signal d'oscillation local du dispositif à semiconducteur (1). En conséquence, on parvient à réduire toute consommation d'énergie inutile du circuit produisant le signal d'oscillation local du dispositif à semiconducteur (2). En outre, étant donné que les dispositifs à semiconducteurs sont du même type, on peut améliorer l'uniformité des caractéristiques de fonctionnement du dispositif de réception en diversité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)