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1. (WO2007005599) HIGH SPEED, HIGH DENSITY ELECTRICAL CONNECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/005599    International Application No.:    PCT/US2006/025564
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 30.06.2006
IPC:
H01R 13/648 (2006.01)
Applicants: AMPHENOL CORPORATION [US/US]; 358 Hall Avenue, Wallingford, CT 06492 (US) (For All Designated States Except US).
COHEN, Thomas [US/US]; (US) (For US Only).
KIRK, Brian [US/US]; (US) (For US Only).
CARTIER, Marc [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: COHEN, Thomas; (US).
KIRK, Brian; (US).
CARTIER, Marc; (US)
Agent: WOLFE, Charles, R., Jr.; Blank Rome LLP, Suite 1100, 600 New Hampshire Avenue, NW, Washington, DC 20037 (US)
Priority Data:
60/695,705 30.06.2005 US
11/183,564 18.07.2005 US
Title (EN) HIGH SPEED, HIGH DENSITY ELECTRICAL CONNECTOR
(FR) CONNECTEUR ELECTRIQUE HAUTE VITESSE ET HAUTE DENSITE
Abstract: front page image
(EN)An electrical connector includes a wafer formed with a ground shield made from a non-conductive material made conductive with conductive particles disposed therein, thereby eliminating the necessity of the metal ground shield plate found in prior art connectors while maintaining sufficient performance characteristics and minimizing electrical noise generated in the wafer. The wafer housing is formed with a first, insulative housing at least partially surrounding a pair of signal strips and a second, conductive housing at least partially surrounding the first, insulative housing and the signal strips. The housings provide the wafer with sufficient structural integrity, obviating the need for additional support structures or components for a wafer. Ground strips may be employed in the wafer and may be formed in the same plane as the signal strips. The second, conductive housing may be connected (e.g., molded) to the ground strips and spaced appropriately from the signal strips. The wafer may also include air gaps between the signal strips of one wafer and the conductive housing of an adjacent wafer further reducing electrical noise or other losses (e.g., cross-talk) without sacrificing significant signal strength.
(FR)Ce connecteur électrique comprend une tranche à écran de mise à la terre obtenue à partir d'une matière non conductrice, qui devient conductrice grâce à des particules conductrices disposées à l'intérieur, ce qui permet de se passe de l'écran de mise à la terre métallique que l'on trouve dans les connecteurs de l'art antérieur sans affecter les caractéristiques de performance suffisantes tout en réduisant le bruit électrique généré dans la tranche. Le boîtier de tranche est formé d'un premier boîtier d'isolation entourant au moins partiellement une paire de bandes de signal et un second boîtier conducteur entourant au moins partiellement le premier boîtier d'isolation et les bandes de signal. Les boîtiers assurent une intégrité structurale suffisante à la tranche sans qu'il soit nécessaire d'ajouter des structures de support. Les bandes de mise à la terre peuvent être utilisées dans la tranche et formées dans le même plan que les bandes de signal. Le second boîtier conducteur peut être connecté (moulé) aux bandes de mise à la terre et espacé de manière convenable des bandes de signal. La tranche peut aussi présenter des espaces d'air entre les bandes de signal et le boîtier conducteur d'une tranche adjacente, afin de réduire le bruit électrique ou toute autre perte, notamment la diaphonie, sans affecter l'intensité importante du signal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)