WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007005489) METHOD AND SYSTEM FOR DETERMINING OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/005489    International Application No.:    PCT/US2006/025288
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 29.06.2006
IPC:
G01J 5/00 (2006.01)
Applicants: MATTSON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 47131 Bayside Parkway, Fremont, California 94538 (US) (For All Designated States Except US).
TIMANS, Paul Janis [GB/US]; (US) (For US Only)
Inventors: TIMANS, Paul Janis; (US)
Agent: ZAISER, Eric G.; Dority & Manning, P.a., P.O. Box 1449, Greenville, South Carolina 29602-1449 (US)
Priority Data:
60/696,608 05.07.2005 US
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR DETERMINING OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE DETERMINATION DES PROPRIETES OPTIQUES DE TRANCHES DE SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A method and system are disclosed for determining at least one optical characteristic of a substrate, such as a semiconductor wafer. Once the optical characteristic is determined, at least one parameter in a processing chamber may be controlled for improving the process. For example, in one embodiment, the reflectivity of one surface of the substrate may first be determined at or near ambient temperature. From this information, the reflectance and/or emittance of the wafer during high temperature processing may be accurately estimated. The emittance can be used to correct temperature measurements using a pyrometer during wafer processing. In addition to making more accurate temperature measurements, the optical characteristics of the substrate can also be used to better optimize the heating cycle.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système permettant de déterminer au moins une caractéristique optique d'un substrat, tel qu'une tranche de semiconducteur. Une fois la caractéristique optique déterminée, au moins un paramètre de chambre de traitement peut être contrôlé pour améliorer le processus. Par exemple, dans un premier mode de réalisation, la réflectivité d'une surface du substrat peut être déterminée à la température ambiante ou à une température proche de la température ambiante. A partir de cette information, la réflectance et/ou l'émissivité de la tranche lors d'un traitement à température élevée peuvent être estimées avec exactitude. L'émissivité peut servir à corriger les mesures de température au moyen d'un pyromètre lors du traitement de tranches. En plus des mesures de température plus précises, les caractéristiques optiques du substrat peuvent servir à optimiser le cycle de chauffage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)