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1. (WO2007005197) REMOVAL OF RESIDUES FOR LOW-K DIELECTRIC MATERIALS IN WAFER PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/005197    International Application No.:    PCT/US2006/022487
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 06.06.2006
IPC:
B08B 6/00 (2006.01), C03C 23/00 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS BROADCAST CENTER, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
JACOBSEN, Gunilla [SE/US]; (US) (For US Only).
IYER, Subramanyam, A. [US/IN]; (US) (For US Only)
Inventors: JACOBSEN, Gunilla; (US).
IYER, Subramanyam, A.; (US)
Agent: HAVERSTOCK, Thomas, B.; HAVERSTOCK & OWENS LLP, 162 North Wolfe Road, Sunnyvale, CA 94086 (US)
Priority Data:
11/174,256 30.06.2005 US
Title (EN) REMOVAL OF RESIDUES FOR LOW-K DIELECTRIC MATERIALS IN WAFER PROCESSING
(FR) ELIMINATION DE RESIDUS POUR MATERIAUX A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE DANS LE TRAITEMENT DE PLAQUETTES
Abstract: front page image
(EN)A method of removing post-etch residue from a patterned low-k dielectric layer is disclosed. The low-k dielectric layer preferably comprises a porous silicon oxide-based material with the post-etch residue thereon. The post-etch residue is a polymer, a polymer contaminated with an inorganic material, an anti-reflective coating and/or a combination thereof. In accordance with the method of the invention, the post-etch residue is removed from a patterned low-k dielectric layer using a supercritical cleaning solution comprising supercritical carbon dioxide pyridine-hydrogen fluoride adducts, pyridine, hydrogen fluoride and combination thereof
(FR)L'invention concerne un procédé d'élimination de résidus post-gravure d'une couche à faible constante diélectrique. La couche à faible constante diélectrique comprend de préférence un matériau à base d'oxyde de silicium poreux sur lequel est disposé le résidu post-gravure. Le résidu post-gravure est un polymère, un polymère contaminé par un matériau inorganique, un revêtement antiréfléchissant et/ou une combinaison de ceux-ci. Selon le procédé de l'invention, le résidu post-gravure est éliminé d'une couche à faible constante diélectrique modélisée au moyen d'une solution de nettoyage supercritique qui comprend des produits d'addition de type dioxyde de carbone supercritique et fluorure d'hydrogène-pyridine, pyridine, fluorure d'hydrogène et des combinaisons de ceux-ci.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)