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1. (WO2007005067) NON-VOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE-CHANGE-MATERIAL MEMORY ELEMENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2007/005067 International Application No.: PCT/US2006/008550
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 09.03.2006
Chapter 2 Demand Filed: 27.07.2006
IPC:
G11C 11/24 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
24
using capacitors
Applicants:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
HSU, Louis, L., C. [US/US]; US (UsOnly)
JI, Brian, L. [US/US]; US (UsOnly)
LAM, Chung Hon [US/US]; US (UsOnly)
WONG, Hon-Sum, Philip [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
HSU, Louis, L., C.; US
JI, Brian, L.; US
LAM, Chung Hon; US
WONG, Hon-Sum, Philip; US
Agent:
LEWIS, William, E.; Ryan, Mason & Lewis, LLP 90 Forest Avenue Locust Valley, NY 11560, US
Priority Data:
11/172,47330.06.2005US
Title (EN) NON-VOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE-CHANGE-MATERIAL MEMORY ELEMENTS
(FR) MÉMOIRE ADRESSABLE À CONTENU NON VOLATILE UTILISANT DES ÉLÉMENTS MÉMOIRE À MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE
Abstract:
(EN) A non- volatile content addressable memory cell comprises: a first phase change material element, the first phase change material element having one end connected to a match-line; a first transistor, the first transistor having a gate connected to a word-line, a source connected to a true bit-read- write-search-line, and a drain connected to another end of the first phase change material element; a second phase change material element, the second phase change material element having one end connected to the match-line; and a second transistor, the second transistor having a gate connected to the word-line, a source connected to a complementary bit- read-write-search-line, and a drain connected to another end of the second phase change material element.
(FR) La présente invention concerne une cellule mémoire adressable à contenu non volatile comprenant : un premier élément en matériau à changement de phase, le premier élément en matériau à changement de phase ayant une extrémité connectée à une match-line ; un premier transistor, le premier transistor ayant une grille connectée à une word-line, une source connectée à une véritable bit-read-write-search-line, et un drain connecté à une autre extrémité du premier élément en matériau à changement de phase ; un deuxième élément en matériau à changement de phase, le deuxième élément en matériau à changement de phase ayant une extrémité connectée à la match-line ; et un deuxième transistor, le deuxième transistor ayant une grille connectée à la word-line, une source connectée à une bit-read-write-search-line complémentaire, et un drain connecté à une autre extrémité du deuxième élément en matériau à changement de phase.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP1908076JP2008545221JP4378425CN101176161