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1. (WO2007005067) NON-VOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE-CHANGE-MATERIAL MEMORY ELEMENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/005067    International Application No.:    PCT/US2006/008550
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 09.03.2006
Chapter 2 Demand Filed:    27.07.2006    
IPC:
G11C 11/24 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
HSU, Louis, L., C. [US/US]; (US) (For US Only).
JI, Brian, L. [US/US]; (US) (For US Only).
LAM, Chung Hon [US/US]; (US) (For US Only).
WONG, Hon-Sum, Philip [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HSU, Louis, L., C.; (US).
JI, Brian, L.; (US).
LAM, Chung Hon; (US).
WONG, Hon-Sum, Philip; (US)
Agent: LEWIS, William, E.; Ryan, Mason & Lewis, LLP, 90 Forest Avenue, Locust Valley, NY 11560 (US)
Priority Data:
11/172,473 30.06.2005 US
Title (EN) NON-VOLATILE CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE-CHANGE-MATERIAL MEMORY ELEMENTS
(FR) MÉMOIRE ADRESSABLE À CONTENU NON VOLATILE UTILISANT DES ÉLÉMENTS MÉMOIRE À MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE
Abstract: front page image
(EN)A non- volatile content addressable memory cell comprises: a first phase change material element, the first phase change material element having one end connected to a match-line; a first transistor, the first transistor having a gate connected to a word-line, a source connected to a true bit-read- write-search-line, and a drain connected to another end of the first phase change material element; a second phase change material element, the second phase change material element having one end connected to the match-line; and a second transistor, the second transistor having a gate connected to the word-line, a source connected to a complementary bit- read-write-search-line, and a drain connected to another end of the second phase change material element.
(FR)La présente invention concerne une cellule mémoire adressable à contenu non volatile comprenant : un premier élément en matériau à changement de phase, le premier élément en matériau à changement de phase ayant une extrémité connectée à une match-line ; un premier transistor, le premier transistor ayant une grille connectée à une word-line, une source connectée à une véritable bit-read-write-search-line, et un drain connecté à une autre extrémité du premier élément en matériau à changement de phase ; un deuxième élément en matériau à changement de phase, le deuxième élément en matériau à changement de phase ayant une extrémité connectée à la match-line ; et un deuxième transistor, le deuxième transistor ayant une grille connectée à la word-line, une source connectée à une bit-read-write-search-line complémentaire, et un drain connecté à une autre extrémité du deuxième élément en matériau à changement de phase.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)