WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/004661    International Application No.:    PCT/JP2006/313365
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 28.06.2006
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Applicants: EPSON TOYOCOM CORPORATION [JP/JP]; 484, Tsukagoshi 3-chome, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2128513 (JP) (For All Designated States Except US).
OWAKI, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORITA, Takao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OWAKI, Takuya; (JP).
MORITA, Takao; (JP)
Agent: KAMIYANAGI, Masataka; c/o Intellectual Property Division, SEIKO EPSON CORPORATION, 80, Harashinden, Hirooka, Shiojiri-shi Nagano 3990785 (JP)
Priority Data:
2005-192660 30.06.2005 JP
(JA) 弾性表面波デバイス
Abstract: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a means for improving a Q value of an SAW device which uses SH wave type surface acoustic wave. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A rotated Y-cut crystal substrate has a cut angle (&thetas;) satisfying an inequality of -64.0°<&thetas;<-49.3° in a counterclockwise direction from a Z axis. In the surface acoustic wave device, at least one IDT electrode is arranged along a vertical direction (Z’ axis direction) of a crystal axis (X) of the crystal substrate, and grating reflectors are arranged on the both sides. A film thickness (H) of the electrode is standardized by an electrode cycle (&lgr;) of the IDT electrode to satisfy an inequality of 0.04<H/&lgr;<0.12. When a crossing width of the IDT electrode is expressed as (W), the standardized crossing width W/&lgr; standardized by the electrode cycle (&lgr;) of the IDT electrode satisfies an inequality of 20≤W/&lgr;≤50.
(FR)La présente invention concerne un moyen d’augmenter l’énergie de désintégration d’un dispositif SAW qui utilise une onde acoustique de surface de type onde SH. Un substrat de cristal coupé selon l’axe Y rotatif présente un angle de coupe (&thetas;) satisfaisant une inégalité de -64,0°<&thetas;<-49,3° dans le sens inverse des aiguilles d’une montre par rapport à l’axe Z. Dans le dispositif selon l'invention, au moins une électrode IDT est disposée le long de la direction verticale (direction de l’axe Z’) d’un axe de cristal (X) du substrat cristallin, et des réflecteurs en réseau sont disposés de chaque côté. L’épaisseur de pellicule (H) de l’électrode est normalisée par un cycle d’électrode (&lgr;) de l’électrode IDT pour satisfaire une inégalité de 0,04<H/&lgr;<0,12. Lorsque la largeur de section de l’électrode IDT est exprimée comme (W), l'épaisseur de section normalisée W/&lgr; normalisée par le cycle d’électrode (&lgr;) de l’électrode IDT satisfait une inégalité de 20≤W/&lgr;≤50.
(JA)課題 SH波型表面波を用いたSAWデバイスのQ値を改善する手段を得る。解決手段 カット角θをZ軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°とした回転Yカット水晶基板の結晶軸Xの垂直方向(Z’軸方向)沿って、少なくとも1つのIDT電極を配置すると共に、その両側にグレーティング反射器を配設し、該電極の膜厚Hを前記IDT電極の電極周期λで基準化して0.04<H/λ<0.12とし、前記IDT電極の交差幅をWとした弾性表面波デバイスにおいて、前記IDT電極の電極周期λで基準化した基準化交差幅W/λを20≦W/λ≦50として弾性表面波デバイスを構成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)