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1. (WO2007004661) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2007/004661 International Application No.: PCT/JP2006/313365
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 28.06.2006
IPC:
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02
Details
125
Driving means, e.g. electrodes, coils
145
for networks using surface acoustic waves
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
25
Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Applicants:
エプソントヨコム株式会社 EPSON TOYOCOM CORPORATION [JP/JP]; 〒2128513 神奈川県川崎市幸区塚越三丁目484番地 Kanagawa 484, Tsukagoshi 3-chome, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2128513, JP (AllExceptUS)
大脇 卓弥 OWAKI, Takuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
森田 孝夫 MORITA, Takao [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
大脇 卓弥 OWAKI, Takuya; JP
森田 孝夫 MORITA, Takao; JP
Agent:
上柳 雅誉 KAMIYANAGI, Masataka; 〒3990785 長野県塩尻市広丘原新田80 セイコーエプソン株式会社 知的財産本部内 Nagano c/o Intellectual Property Division, SEIKO EPSON CORPORATION, 80, Harashinden, Hirooka, Shiojiri-shi Nagano 3990785, JP
Priority Data:
2005-19266030.06.2005JP
Title (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE
(JA) 弾性表面波デバイス
Abstract:
(EN) [PROBLEMS] To provide a means for improving a Q value of an SAW device which uses SH wave type surface acoustic wave. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A rotated Y-cut crystal substrate has a cut angle (&thetas;) satisfying an inequality of -64.0°<&thetas;<-49.3° in a counterclockwise direction from a Z axis. In the surface acoustic wave device, at least one IDT electrode is arranged along a vertical direction (Z’ axis direction) of a crystal axis (X) of the crystal substrate, and grating reflectors are arranged on the both sides. A film thickness (H) of the electrode is standardized by an electrode cycle (&lgr;) of the IDT electrode to satisfy an inequality of 0.04<H/&lgr;<0.12. When a crossing width of the IDT electrode is expressed as (W), the standardized crossing width W/&lgr; standardized by the electrode cycle (&lgr;) of the IDT electrode satisfies an inequality of 20≤W/&lgr;≤50.
(FR) La présente invention concerne un moyen d’augmenter l’énergie de désintégration d’un dispositif SAW qui utilise une onde acoustique de surface de type onde SH. Un substrat de cristal coupé selon l’axe Y rotatif présente un angle de coupe (&thetas;) satisfaisant une inégalité de -64,0°<&thetas;<-49,3° dans le sens inverse des aiguilles d’une montre par rapport à l’axe Z. Dans le dispositif selon l'invention, au moins une électrode IDT est disposée le long de la direction verticale (direction de l’axe Z’) d’un axe de cristal (X) du substrat cristallin, et des réflecteurs en réseau sont disposés de chaque côté. L’épaisseur de pellicule (H) de l’électrode est normalisée par un cycle d’électrode (&lgr;) de l’électrode IDT pour satisfaire une inégalité de 0,04<H/&lgr;<0,12. Lorsque la largeur de section de l’électrode IDT est exprimée comme (W), l'épaisseur de section normalisée W/&lgr; normalisée par le cycle d’électrode (&lgr;) de l’électrode IDT satisfait une inégalité de 20≤W/&lgr;≤50.
(JA) 課題 SH波型表面波を用いたSAWデバイスのQ値を改善する手段を得る。解決手段 カット角θをZ軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°とした回転Yカット水晶基板の結晶軸Xの垂直方向(Z’軸方向)沿って、少なくとも1つのIDT電極を配置すると共に、その両側にグレーティング反射器を配設し、該電極の膜厚Hを前記IDT電極の電極周期λで基準化して0.04<H/λ<0.12とし、前記IDT電極の交差幅をWとした弾性表面波デバイスにおいて、前記IDT電極の電極周期λで基準化した基準化交差幅W/λを20≦W/λ≦50として弾性表面波デバイスを構成する。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
JPWO2007004661US20090051244US20100289379