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1. (WO2007004554) SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/004554    International Application No.:    PCT/JP2006/313088
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 30.06.2006
IPC:
H01G 9/012 (2006.01), H01G 9/032 (2006.01), H01G 9/04 (2006.01), H01G 9/052 (2006.01)
Applicants: SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (For All Designated States Except US).
NAITO, Kazumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAITO, Kazumi; (JP)
Agent: OHIE, Kunihisa; OHIE Patent Office, Selva-Ningyocho 6F, 14-6, Nihonbashi-Ningyocho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Priority Data:
2005-191227 30.06.2005 JP
Title (EN) SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) CONDENSATEUR À ÉLECTROLYTE SOLIDE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A solid electrolytic capacitor comprising an anode lead planted on one surface of a rectangular parallel piped sintered body of conductive powder, and a solid electrolytic capacitor element formed by sequentially laminating a dielectric oxide film, a semiconductor layer and an electrode layer and sealed with external resin. A method of producing the solid electrolytic capacitor comprising the step of providing an insulation plate on the anode lead at a distance of up to 200μm above an anode lead-planted surface and in parallel to the surface with its surface shape almost the same as that of the former surface, and the solid electrolytic capacitor produced by the production method. The solid electrolytic capacitor comprises a sintered body of conductive powder, wherein the creeping up of a semiconductor layer forming solution or the like used when a semiconductor layer is formed is prevented and stress on the upper surface of the sintered body by molten resin at sealing of the solid electrolytic capacitor element is eased, whereby a solid electrolytic capacitor good in performance and reliability is provided.
(FR)Condensateur à électrolyte solide comprenant un connecteur d’anode planté sur une surface d’un corps fritté parallélépipédique de poudre conductrice, et élément de condensateur à électrolyte solide formé par stratification séquentielle d’une pellicule d’oxyde diélectrique, d’une couche semi-conductrice et d'une couche d'électrode et étanchéifié avec une résine externe. La présente invention concerne un procédé de production d’un condensateur à électrolyte solide comprenant une étape de placement d’une plaque d’isolation sur le connecteur d’anode à une distance pouvant atteindre 200 µm au-dessus de la surface plantée du connecteur d’anode et parallèlement à la surface et présentant une forme de surface presque identique à celle de la surface précédente, et le condensateur à électrolyte solide produit par ce procédé de production. Le condensateur à électrolyte solide selon l’invention comprend un corps fritté de poudre conductrice, le fluage d’une solution de formation d'une couche semi-conductrice ou assimilé utilisée lorsque la couche semi-conductrice est déposée étant empêché et la tension sur la surface supérieure du corps fritté par la résine fondue pendant l'étanchéification du condensateur à électrolyte solide étant réduite, ce qui permet d'obtenir un condensateur à électrolyte solide à haute performance et très fiable.
(JA)本発明は、直方体形状の導電体粉末の焼結体の一面に陽極リードを植設し、誘電体酸化皮膜、半導体層及び電極層を順次積層した固体電解コンデンサ素子を外装樹脂で封口してなる固体電解コンデンサにおいて、陽極リードを植設した面に、その面と平行にほぼ同一面形状の絶縁板を200μm以下の距離をおいて陽極リード上に設ける固体電解コンデンサ製造方法およびその製造方法で作製された固体電解コンデンサに関する。本発明の固体電解コンデンサは、導電体粉末からなる焼結体に半導体層を形成する際の半導体層形成用溶液等の這い上がりを防止し、かつ固体電解コンデンサ素子の封止時の溶融樹脂による焼結体上面への応力を緩和して、性能と信頼性が良好な固体電解コンデンサである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)