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1. (WO2007004495) PROCESS FOR PRODUCING CRYSTAL WITH SUPERCRTICAL SOLVENT, CRYSTAL GROWTH APPARATUS, CRYSTAL, AND DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/004495    International Application No.:    PCT/JP2006/312956
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 29.06.2006
IPC:
C30B 7/10 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01), C30B 29/18 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (For All Designated States Except US).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWABATA, Shinichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIKAWA, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAGAMITANI, Yuji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKUDA, Tsuguo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAWABATA, Shinichiro; (JP).
YOSHIKAWA, Akira; (JP).
KAGAMITANI, Yuji; (JP).
FUKUDA, Tsuguo; (JP)
Agent: SIKs & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg. 8-7, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0031 (JP)
Priority Data:
2005-194032 01.07.2005 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING CRYSTAL WITH SUPERCRTICAL SOLVENT, CRYSTAL GROWTH APPARATUS, CRYSTAL, AND DEVICE
(FR) PROCESSUS DE FABRICATION DE CRISTAUX AVEC SOLVANT SUPRACRITIQUE, APPAREIL DE CROISSANCE DE CRISTAL, CRISTAL ET DISPOSITIF
(JA) 超臨界溶媒を用いた結晶製造方法、結晶成長装置、結晶およびデバイス
Abstract: front page image
(EN)A crystal is grown by the solvothermal method while causing a solvent and a given amount of a substance different in critical density from the solvent to be present in the reactor. Thus, the position in which a crystal precipitates is regulated and the yield of the crystal is improved. Furthermore, impurities are prevented from coming into the crystal to enable the crystal to have a heightened purity. The process for crystal production comprises using a solvent in a supercritical and/or subcritical state and a raw material to grow a crystal in a reactor, and is characterized in that a substance (X) which satisfies the following relationship (1) and differs in critical density from the solvent by at least 25% is caused to be present in the reactor and the amount of the substance (X) is regulated to thereby regulate the position in which crystal precipitation occurs. (solubility of raw material in substance (X))/(solubility of raw material in solvent) × 100 ≤ 20 (1)
(FR)Selon l’invention on cultive un cristal par le procédé thermique à solvant tout en provoquant la présence d’un solvant et d’une quantité donnée de substance différente en termes de densité critique par rapport au solvant dans le réacteur. Ainsi, la position dans laquelle un cristal précipite est régulée et le rendement du cristal est augmenté. De plus, on empêche les impuretés de pénétrer dans le cristal pour permettre au cristal d’atteindre une pureté renforcée. Le processus de fabrication de cristaux consiste à utiliser un solvant dans un état supracritique et/ou sous-critique et une matière première pour la croissance de cristal dans un réacteur, et il est caractérisé en ce qu’une substance (X) satisfaisant à la relation suivante (1) et différente en termes de densité critique par rapport au solvant d’au moins 25% sera présente dans le réacteur et la quantité de la substance (X) est régulée pour ainsi moduler la position dans laquelle une précipitation cristalline se produit. (solubilité de matière première dans la substance (X))/(solubilité de matière première dans le solvant) × 100 ≤ 20 (1)
(JA)not available
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)