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1. (WO2007004394) HIGH-PURITY TIN OR TIN ALLOY AND PROCESS FOR PRODUCING HIGH-PURITY TIN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2007/004394 International Application No.: PCT/JP2006/311912
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 14.06.2006
Chapter 2 Demand Filed: 04.09.2006
IPC:
C25C 1/14 (2006.01) ,C22B 25/08 (2006.01) ,C22C 13/00 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
25
ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
C
PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
1
Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
14
of tin
C CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
B
PRODUCTION OR REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
25
Obtaining tin
08
Refining
C CHEMISTRY; METALLURGY
22
METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
C
ALLOYS
13
Alloys based on tin
Applicants:
日鉱金属株式会社 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1050001 東京都港区虎ノ門二丁目10番1号 Tokyo 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP (AllExceptUS)
新藤 裕一朗 SHINDO, Yuichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
竹本 幸一 TAKEMOTO, Kouichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
新藤 裕一朗 SHINDO, Yuichiro; JP
竹本 幸一 TAKEMOTO, Kouichi; JP
Agent:
小越 勇 OGOSHI, Isamu; 〒1050002 東京都港区愛宕一丁目2番2号 虎ノ門9森ビル3階 小越国際特許事務所 Tokyo OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F 3-1-10 Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001, JP
Priority Data:
2005-19332301.07.2005JP
Title (EN) HIGH-PURITY TIN OR TIN ALLOY AND PROCESS FOR PRODUCING HIGH-PURITY TIN
(FR) ÉTAIN OU ALLIAGE D’ÉTAIN DE GRANDE PURETÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉTAIN DE GRANDE PURETÉ
(JA) 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法
Abstract:
(EN) A high-purity tin or tin alloy characterized in that the respective contents of U and Th are simultaneously 5 ppb or less and the respective contents of Pb and Bi simultaneously 1 ppm or less, and that the purity thereof is 5 N or higher (provided that the gas components of O, C, N, H, S and P are excluded). Further, there is provided a high-purity tin or tin alloy characterized in that the &agr;-ray count of high-purity tin with cast structure is 0.001 cph/cm2 or less. Recent semiconductor devices, as density and capacity enhancements are promoted, increasingly encounter the danger of soft error generated by the influence of &agr;-ray from a material lying in the neighborhood of semiconductor chips. Especially, the demand for purity increase of a solder material or tin used adjacent to semiconductor devices is strong, and a material of reduced &agr;-ray is demanded. Accordingly, it is intended to obtain a high-purity tin or tin alloy having &agr;-ray level of tin reduced in conformity with the above demands and obtain a process for producing such a high-purity tin.
(FR) La présente invention concerne un étain ou un alliage d’étain de grande pureté caractérisé en ce que les teneurs respectives en U et Th sont simultanément inférieures ou égales à 5 parties par milliard et les teneurs respectives en Pb et Bi simultanément inférieures ou égales à 1 ppm, et en ce que la pureté est supérieure ou égale à 5 N (à condition que les composants gazeux de O, C, N, H, S et P soient exclus). En outre, la présente invention fournit un étain ou un alliage d’étain de grande pureté caractérisé en ce que le compte de rayons &agr; de l'étain de grande pureté avec une structure coulée est inférieur ou égal à 0,001 c/h/cm2. Des dispositifs semi-conducteurs récents, en tant qu’améliorateurs de densité et de capacité sont favorisés et rencontrent de plus en plus le risque d’une erreur mineure produite par l'influence du rayon &agr; à partir d'un matériau se situant dans le voisinage des morceaux de semi-conducteur. En particulier, il existe un forte demande d'augmentation de la pureté d'un matériau de soudage ou d'étain utilisé à côté de dispositifs semi-conducteurs, et un matériau ayant une réduction de rayons &agr; est demandé. En conséquence, il est prévu d’obtenir un étain ou un alliage d’étain de grande pureté ayant un niveau réduit de rayons &agr; de l'étain conformément aux demandes ci-dessus et d’obtenir un procédé de production d’un tel étain de si grande pureté.
(JA)  U、Thのそれぞれの含有量が5ppb以下、Pb、Biのそれぞれの含有量が1ppm以下であり、純度が5N以上(但し、O、C、N、H、S、Pのガス成分を除く)であることを特徴とする高純度錫又は錫合金。鋳造組織を持つ高純度錫のα線カウント数が0.001cph/cm2以下であることを特徴とする高純度錫又は錫合金。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきている。特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料若しくは錫に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、これに適応できる錫のα線量を低減させた高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法を得ることを課題とする。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
KR1020080015942EP1900853JPWO2007004394JP2010156052US20090098012JP4472752
CN101213326JP2013189710