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1. (WO2007004378) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
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Pub. No.: WO/2007/004378 International Application No.: PCT/JP2006/311116
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 02.06.2006
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
04
Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
042
Electrical excitation
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
022
Mountings; Housings
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32
comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- hetero-structures
323
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
Applicants:
シャープ株式会社 Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
伊藤 茂稔 ITO, Shigetoshi; null (UsOnly)
高谷 邦啓 TAKATANI, Kunihiro; null (UsOnly)
近江 晋 OMI, Susumu; null (UsOnly)
Inventors:
伊藤 茂稔 ITO, Shigetoshi; null
高谷 邦啓 TAKATANI, Kunihiro; null
近江 晋 OMI, Susumu; null
Agent:
大前 要 OHMAE, Kaname; 〒5400037 大阪府大阪市中央区内平野町2-3-14 ライオンズビル大手前9階 Osaka 9F., Lions Bldg. Ohtemae, 2-3-14, Uchihiranomachi Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400037, JP
Priority Data:
2005-19202130.06.2005JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ET DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置
Abstract:
(EN) Disclosed is a long-life nitride semiconductor laser element wherein voltage characteristics do not deteriorate even when the element is driven at high current density. Specifically disclosed is a nitride semiconductor laser element comprising a p-type nitride semiconductor and a p-side electrode formed on the p-type nitride semiconductor. This nitride semiconductor laser element is characterized in that the p-side electrode has a first layer which is in direct contact with the p-type nitride semiconductor and a conductive second layer formed on the first layer, and the second layer contains a metal element selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, W, Mo and Nb, and an oxygen element.
(FR) La présente invention concerne un élément laser à semi-conducteur de nitrure dans lequel les caractéristiques de tension ne se dégradent pas même quand l'élément est commandé à une densité de courant élevée. De manière spécifique, il s'agit d'un élément laser à semi-conducteur de nitrure comprenant un semi-conducteur di nitrure de type p et une électrode latérale p formée sur le semi-conducteur di nitrure de type p. Cet élément laser à semi-conducteur de nitrure est caractérisé en ce que l'électrode latérale p a une première couche qui est en contact direct avec le semi-conducteur de nitrure de type p et une seconde couche conductrice formée sur la première couche, et la seconde couche contient un élément métallique sélectionné à partir du groupe constitué de Ti, Zr, Hf, W, Mo et Nb, ainsi qu'un élément d'oxygène.
(JA)  高電流密度で駆動しても、電圧特性が劣化しない、長寿命な窒化物半導体レーザ素子を実現する。この目的は、p型窒化物半導体と、p型窒化物半導体上に形成されたp側電極と、を備える窒化物半導体レーザ素子において、p側電極が、p型窒化物半導体に直接接する第1の層と、第1の層上に形成された導電性を有する第2の層と、を有し、第2の層が、Ti、Zr、Hf、W、MoおよびNbからなる群から選択される金属元素と、酸素元素とを含むことを特徴とする構成により達成できる。
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
US20090095964