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1. (WO2007004366) PHOSPHORESCENT MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PHOSPHORESCENT DISPLAY ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/004366    International Application No.:    PCT/JP2006/310329
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 24.05.2006
IPC:
C09K 11/78 (2006.01), G09F 13/20 (2006.01)
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Hon-cho, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMANAKA, Akio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIDA, Norifumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORIUCHI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMANAKA, Akio; (JP).
OKA, Kenji; (JP).
YOSHIDA, Norifumi; (JP).
HORIUCHI, Hiroshi; (JP)
Agent: HIRAYAMA, Kazuyuki; 6th Floor, Shinjukugyoen Bldg. 2-3-10, Shinjuku Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2005-193188 30.06.2005 JP
Title (EN) PHOSPHORESCENT MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PHOSPHORESCENT DISPLAY ELEMENT
(FR) MATÉRIAU PHOSPHORESCENT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI ET ÉLÉMENT D'AFFICHAGE PHOSPHORESCENT
(JA) 蓄光材料及びその製造方法並びに蓄光表示素子
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a novel phosphorescent material that has a narrow afterglow spectrum width, can select an afterglow wavelength, has high moisture resistance, has high heat resistance, and is free from optical anisotropy. The novel phosphorescent material comprises a single crystal of scandium oxide and a rare earth element in which scandium in the single crystal has been replaced. Upon exposure to ultraviolet light having energy corresponding to a difference in energy between a 5d orbit of the rare earth ion and a 4f ground orbit of the rare earth ion, or ultraviolet light having energy corresponding to a difference in energy between a 4f excitation orbit of a rare earth ion and a 2p orbit of oxygen of scandium oxide, afterglow having wavelength and spectral width based on 4f-4f transition of the rare earth ion occurs. The afterglow wavelength can be selected by selecting the rare earth element. Since the matrix crystal is scandium oxide, the heat resistance is 1000ºC or above. Further, since the crystal structure of scandium oxide is cubic, there is no birefringence.
(FR)Cette invention met à disposition un nouveau matériau phosphorescent qui a une largeur de spectre de rémanence étroite, est en mesure de sélectionner une longueur d'onde de rémanence, a une résistance à l'humidité élevée, a une résistance thermique élevée et ne présente pas d'anisotropie optique. Le nouveau matériau phosphorescent comprend un unique cristal d'oxyde de scandium et un lanthanide dans lequel le scandium dans l'unique cristal a été remplacé. Lors de l'exposition à une lumière ultraviolette ayant une énergie correspondant à une différence d'énergie entre une orbite (5d) du ion de lanthanide et une orbite au sol (4f) du ion de lanthanide, ou une lumière ultraviolette ayant une énergie correspondant à une différence d'énergie entre une orbite d'excitation (4f) d'un ion de lanthanide et une orbite (2p) d'oxygène d'oxyde de scandium, une rémanence ayant une longueur d'onde et une largeur spectrale basées sur une transition (4f-4f) du ion de lanthanide se produit. La longueur d'onde de rémanence peut être sélectionnée en sélectionnant le lanthanide. Étant donné que le cristal à matrice est un oxyde de scandium, la résistance thermique est de 1000 ºC ou plus. En outre, étant donné que la structure cristalline de l'oxyde de scandium est cubique, il n'y a aucune biréfringence.
(JA) 残光スペクトル幅が狭く、残光波長を選択でき、耐湿性が高く、耐熱性が高く且つ光学的異方性がない、新規な蓄光材料を提供する。  酸化スカンジウムからなる単結晶と、この単結晶のスカンジウムを置換した希土類元素とからなり、希土類イオンの5d軌道と希土類イオンの4f基底軌道とのエネルギー差、または、希土類イオンの4f励起軌道と酸化スカンジウムの酸素の2p軌道とのエネルギー差に相当するエネルギーの紫外光を照射することで、希土類イオンの4f-4f遷移に基づく波長とスペクトル幅を有する残光を生じる。希土類元素を選択することによって残光波長を選択でき、母体結晶が酸化スカンジウムであるので1000°C以上の耐熱性を有し、酸化スカンジウムの結晶構造が立方晶であるので複屈折がない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)