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1. (WO2007004253) NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING NONVOLATILE MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/004253    International Application No.:    PCT/JP2005/012033
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 30.06.2005
IPC:
G11C 16/06 (2006.01)
Applicants: SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place, P.O.Box 3453, Sunnyvale, California 940883453 (US) (For All Designated States Except US).
SPANSION JAPAN LIMITED [JP/JP]; 6, Kogyodanchi, Monden-machi, Aizuwakamatsu-shi, Fukushima 9650845 (JP) (For All Designated States Except US).
KATO, Kenta [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAGAO, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KATO, Kenta; (JP).
NAGAO, Mitsuhiro; (JP)
Agent: COSMOS PATENT OFFICE; Annex 2nd Floor Nagoya Center Building 2-22, Nishiki 2-chome Naka-ku, Nagoya-shi Aichi 4600003 (JP)
Priority Data:
Title (EN) NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING NONVOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE ET PROCEDE DE COMMANDE DE CELUI-CI
(JA) 不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶装置の制御方法
Abstract: front page image
(EN)Storage areas for general and control information are assigned in a memory cell array. The storage area for control information comprises a predetermined number of control information storage memory cells provided for each single bit. The predetermined number of control information storage memory cells store data for the same bit and are simultaneously read out. Since each bit of the control information is read out simultaneously from the predetermined number of memory cells, the drivability of a read path activated during a read operation is enhanced. It is possible to reduce the time required to read the control information during the initial setting period when power-on and reset operations are performed and therefore to quickly enter a normal access operation.
(FR)L'invention concerne des zones de stockage destinées à l'information générale et l'information de commande qui sont attribuées dans un réseau de cellules de mémoire. La zone de stockage pour l'information de commande comprend un nombre prédéfini de cellules de mémoire de stockage de l'information de commande fournie pour chaque bit unique. Ce nombre prédéfini de cellules de mémoire de stockage de l'information de commande stockent les données pour le même bit et elles sont lues simultanément. Considérant l'extraction simultanée de chaque bit de l'information de commande du nombre prédéfini de cellules de mémoire, la maniabilité d'un chemin de lecture activé pendant une opération de lecture est améliorée. Il est possible de réduire le temps requis pour lire l'information de commande pendant la durée de réglage initial quand les opérations de mise sous tension et de réinitialisation sont effectuées. De la sorte, une opération d'accès normal peut être entrée rapidement.
(JA) メモリセルアレイに、通常データの格納領域のほかに制御情報の格納領域に割り当てられており、制御情報の格納領域は、制御情報の1ビットごとに所定数の制御情報格納メモリセルを備えて構成され、所定数の制御情報格納メモリセルに対して、同一ビットのデータが格納され、読み出しの際には同時に読み出しが行なわれる。制御情報を読み出す際、1ビットごとに所定数のメモリセルから同時に読み出しが行なわれるので、読み出し時の読み出し経路の駆動能力が強化される。電源投入時やリセット時の初期設定期間に読み出される制御情報の読み出し時間を短縮することができ、速やかに通常のアクセス動作に移行することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)