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1. (WO2007003684) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/003684    International Application No.:    PCT/FI2006/000220
Publication Date: 11.01.2007 International Filing Date: 20.06.2006
IPC:
H01L 33/24 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: OptoGaN Oy [--/FI]; Tietotie 3, FI-02150 Espoo (FI) (For All Designated States Except US).
BOUGROV, Vladislav E. [RU/FI]; (FI) (For US Only).
ODNOBLYUDOV, Maxim A. [RU/FI]; (FI) (For US Only)
Inventors: BOUGROV, Vladislav E.; (FI).
ODNOBLYUDOV, Maxim A.; (FI)
Agent: PAPULA OY; P. O. Box 981, FI-00101 Helsinki (FI)
Priority Data:
20050707 01.07.2005 FI
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor structure is formed of nitrides of group III metals having wurtzite crystal structure and grown in vapor phase on a (0001) oriented semiconductor substrate. The structure comprises a bottom cladding layer, a top cladding layer, and a diffusion region positioned between the cladding layers for diffusing light propagating within the semiconductor structure. The diffuse region has refractive index different from those of the cladding layers and non-flat surfaces for providing light diffusing interfaces between the diffusion region and the cladding layers. According to the invention, the diffusion region comprises a plurality of diffusion layers, compositions and thicknesses of said diffusion layers having been chosen to avoid formation of strain-induced dislocations in the diffusion region, and adjacent diffusion layers having different refractive indices in order to further enhance the diffusion efficiency.
(FR)La présente invention concerne une structure semi-conductrice qui est formée de nitrures de métaux du groupe III ayant une structure de cristaux de wurtzite et qui est mise à croître en phase vapeur sur un (0001) substrat semi-conducteur orienté. La structure comprend une couche de métallisation inférieure, une couche de métallisation supérieure et une région de diffusion positionnée entre les couches de métallisation destinée à diffuser la lumière se propageant à l’intérieur de la structure semi-conductrice. La région de diffusion présente un indice de réfraction différent de ceux des couches de métallisation ainsi que des surfaces n’étant pas plates destinées à former des interfaces de diffusion de la lumière entre la région de diffusion et les couches de métallisation. Selon l’invention, la région de diffusion comprend une pluralité de couches de diffusion, les compositions et les épaisseurs desdites couches de diffusion ayant été choisies pour éviter la formation de dislocations induites par la tension dans la région de diffusion et les couches de diffusion adjacentes ayant des indices de réfraction différents dans le but d’améliorer encore l’efficacité de diffusion.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)