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1. (WO2007002925) FABRICATION OF ALIGNED NANOWIRE LATTICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/002925    International Application No.:    PCT/US2006/025778
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 29.06.2006
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, 20555 S.h. 249, Houston, Texas 77070 (US) (For All Designated States Except US).
WEI, Qingqiao [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WEI, Qingqiao; (US)
Agent: COULMAN, Donald, J.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400 Mail Stop 35, Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Priority Data:
11/169,470 29.06.2005 US
Title (EN) FABRICATION OF ALIGNED NANOWIRE LATTICES
(FR) FABRICATION DE TREILLIS A ALIGNEMENT DE NANOFILS
Abstract: front page image
(EN)Methodologies associated with fabricating aligned nanowire lattices are described. One exemplary method (100) embodiment includes twist wafer bonding (110) a thin single crystal semiconductor film and a bulk single crystal substrate of the same material. Periodic non-uniform elastic strains present on the surface of the film after twist wafer bonding (110) may be exploited to control the positioning of alloying seeds and thus the location of nanowire growth. The strains that cause the ordering of nanocrystals may be removed via annealing (140) and alloying after the formation of nanocrystal arrays to promote stress-free epitaxial growth (150) of nanowires in a controlled orientation.
(FR)La présente invention a trait à des méthodologies associés à la fabrication de treillis à alignement de nanofils. Un mode de réalisation de procédé représentatif (100) comprend l'assemblage hélicoïdal de tranches (110) d'un film semi-conducteur monocristallin et d'un substrat monocristallin de même matériau. Des contraintes élastiques périodiques non uniformes présentes à la surface du film après l'assemblage hélicoïdal de tranches (110) peuvent être utilisées pour contrôler le positionnement de germes d'alliage et donc la localisation de la croissance de nanofils. Les contraintes qui entraînent l'ordonnancement de nanocristaux peuvent être éliminées par le recuit (140) et l'alliage après la formation de réseaux de nanocristaux pour favoriser une croissance épitaxiale exempte de contraintes (15) de nanofils dans une orientation contrôlée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)