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1. (WO2007002509) WORD LINE DRIVER FOR DRAM EMBEDDED IN A LOGIC PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/002509    International Application No.:    PCT/US2006/024653
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 23.06.2006
IPC:
G11C 8/00 (2006.01), G11C 5/14 (2006.01), G11C 7/00 (2006.01), G11C 5/06 (2006.01), G11C 11/34 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Applicants: MONOLITHIC SYSTEM TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 755 North Mathilda Avenue, Sunnyvale, CA 94085 (US) (For All Designated States Except US).
LEUNG, Wingyu [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEUNG, Wingyu; (US)
Agent: BEVER, HOFFMAN & HARMS, LLP; E. Eric Hoffman, 1432 Concannon Blvd., Bldg. G, Livermore, CA 94550 (US)
Priority Data:
11/166,856 24.06.2005 US
Title (EN) WORD LINE DRIVER FOR DRAM EMBEDDED IN A LOGIC PROCESS
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE DE CANAL MOT POUR DRAM INTEGREE DANS UN PROCESSUS LOGIQUE
Abstract: front page image
(EN)A word line driver provided for accessing a DRAM cell embedded in conventional logic process and includes a p-channel access transistor coupled to a cell capacitor. The word line driver includes an n-channel transistor located in a p-well, wherein the p-well is located in a deep n-well. The deep n-well is located in a p-type substrate. A word line couples the drain of the n-channel transistor to the gate of the p-channel access transistor. A negative boosted voltage supply applies a negative boosted voltage to the p-well and the source of the n-channel transistor. The negative boosted voltage is less than ground by an amount equal to or greater than the threshold voltage of the p-channel access transistor. The deep n-well and p-type substrate are coupled to ground. The polarities can be reversed in another embodiment.
(FR)L'invention concerne un dispositif de commande de canal mot permettant l'accès à une cellule DRAM intégrée dans un processus logique classique et comprenant un transistor d'accès à un canal p couplé à un condensateur celullaire. Le dispositif de commande de canal mot comprend un transistor de canal n dans un puits p, ce dernier étant situé dans un puits profond n. Ledit puits profond n est positionné dans un substrat de type p. Un canal mot couple le drain du transistor de canal n à la grille du transistor d'accès au canal p. Une alimentation de tension négative amplifiée permet d'appliquer une tension négative amplifiée dans le puits p et la source du transistor de canal n. La tension négative amplifiée est inférieure à la masse selon une quantité égale ou supérieure à la tension seuil du transistor d'accès au canal p. Le puits profond n et le substrat de type p sont couplés à la masse. Les polarités peuvent être inversées dans un autre mode de réalisation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)