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1. (WO2007002418) LOW-LEAKAGE CURRENT SOURCES AND ACTIVE CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/002418    International Application No.:    PCT/US2006/024503
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 22.06.2006
IPC:
G05F 1/46 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121 (US) (For All Designated States Except US).
FLORESCU, Octavian [CA/CA]; (CA) (For US Only)
Inventors: FLORESCU, Octavian; (CA)
Agent: WADSWORTH, Philip, R.; 5775 Morehouse Drive, San Diego, Califonia 92121 (US)
Priority Data:
11/165,269 22.06.2005 US
Title (EN) LOW-LEAKAGE CURRENT SOURCES AND ACTIVE CIRCUITS
(FR) SOURCES DE COURANT A FAIBLE FUITE ET CIRCUITS ACTIFS
Abstract: front page image
(EN)A low-leakage circuit includes first, second, and third transistors, which may be P-channel or N-channel FETs. The first transistor provides an output current when enabled and presents low leakage current when disabled. The second transistor enables or disables the first transistor. The third transistor connects or isolates the first transistor to/from a predetermined voltage (e.g., VDD or VSS). The circuit may further include a pass transistor that provides a reference voltage to the source of the first transistor when the first transistor is disabled. In an ON state, the first transistor provides the output current, and the second and third transistors do not impact performance. In an OFF state, the second and third transistors are used to provide appropriate voltages to the first transistor to place it in a low-leakage state. The first, second, and third transistors may be used for a low-leakage current source within a current mirror, an amplifier stage, and so on.
(FR)L'invention concerne un circuit de faible fuite, qui comprend un premier, un deuxième et un troisième transistors pouvant être des TEC de canal P ou de canal N. Le premier transistor fournit un courant de sortie lorsqu'il est activé, et présente un courant de faible fuite lorsqu'il est désactivé. Le deuxième transistor active ou désactive le premier transistor. Le troisième transistor raccorde le premier transistor à une tension préétablie ou l'en isole (p. ex., VDD ou VSS). Le circuit peut comprendre également un transistor de chute qui fournit une tension de référence à la source du premier transistor lorsque celui-ci est désactivé. Dans un état 'OUVERT', le premier transistor fournit le courant de sortie, et le deuxième et le troisième transistors n'interviennent pas sur la performance. Dans un état 'FERME', le deuxième et le troisième transistors sont utilisés pour fournir des tensions appropriées au premier transistor et le placer dans un état de faible fuite. Le premier, le deuxième et le troisième transistors peuvent être utilisés pour une source de courant de faible fuite dans un miroir de courant, un étage d'amplification, etc.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)