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1. (WO2007002330) SPUTTERING TARGET WITH SLOW-SPUTTER LAYER UNDER TARGET MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/002330    International Application No.:    PCT/US2006/024371
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 21.06.2006
Chapter 2 Demand Filed:    20.04.2007    
IPC:
H01J 37/34 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01)
Applicants: GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road, Auburn Hills, MI 48326-1714 (US) (For All Designated States Except US).
MAYER, Raymond, M. [US/US]; (US) (For US Only).
LU, Yiwei [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MAYER, Raymond, M.; (US).
LU, Yiwei; (US)
Agent: RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C., 901 North Glebe Road, 11th Floor, Arlington, VA 22203-1808 (US)
Priority Data:
11/158,407 22.06.2005 US
Title (EN) SPUTTERING TARGET WITH SLOW-SPUTTER LAYER UNDER TARGET MATERIAL
(FR) CIBLE DE PULVERISATION CATHODIQUE A COUCHE DE PULVERISATION LENTE SOUS LE MATERIAU CIBLE
Abstract: front page image
(EN)Certain example embodiments of this invention relate to a sputtering target(s) for use in sputtering material(s) onto a substrate. In certain example embodiments, the target includes a cathode tube with a slow sputtering material applied thereto prior to application of the target material to be sputtered onto the substrate. Because the slow sputtering material is located between the cathode tube and the material to be sputtered, the likelihood of burn-through can be reduced. In certain instances, target utilization and/or lifetime may be increased. In certain other example embodiments, a non-conductive layer may be provided proximate end portion(s) of the target between the cathode tube and the target material in order to reduce or prevent sputtering of material once the target material has been sputtered off such portion(s).
(FR)Dans certains modes de réalisation, la présente invention a trait à une/des cible(s) de pulvérisation cathodique destinée(s) à être utilisée(s) dans un/des matériau(x) sur un substrat. Dans certains modes de réalisation représentatifs, la cible comporte un tube cathodique avec un matériau à pulvérisation cathodique lente appliqué sur celle-ci préalablement à l'application du matériau cible à être soumis à la pulvérisation cathodique sur le substrat. Etant donné que le matériau à pulvérisation cathodique lente se trouve entre le tube cathodique et le matériau à être soumis à la pulvérisation cathodique, la probabilité de brûlure perforante peut être réduite. Dans certains cas, l'utilisation et/ou la durée de vie de la cible peut être accrue. Dans certains autres modes de réalisation représentatifs, une couche non conductrice peut être prévue à proximité de la/des portion(s) d'extrémité de la cible entre le tube cathodique et le matériau cible en vue de réduire ou empêcher la pulvérisation cathodique du matériau une fois que le matériau cible a été pulvérisé hors de cette/ces portion(s).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)