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1. (WO2007002130) REPLACEMENT GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH GERMANIUM OR SIGE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME USING GAS-CLUSTER ION IRRADIATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/002130    International Application No.:    PCT/US2006/024048
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 22.06.2006
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/70 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01)
Applicants: EPION CORPORATION [US/US]; 37 Manning Road, Billerica, MA 01821 (US).
BORLAND, John, O. [US/US]; (US) (For US Only).
SKINNER, Wesley, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BORLAND, John, O.; (US).
SKINNER, Wesley, J.; (US)
Agent: COHEN, Jerry; C/O BURNS & LEVINSON LLP, 125 Summer Street, Boston, MA 02110 (US)
Priority Data:
60/692,795 22.06.2005 US
Title (EN) REPLACEMENT GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH GERMANIUM OR SIGE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME USING GAS-CLUSTER ION IRRADIATION
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE DE RECHANGE AVEC CANAL DE GERMANIUM OU DE SIGE ET SON PROCEDE DE FABRICATION AU MOYEN D'IRRADIATION IONIQUE A AGREGATS GAZEUX
Abstract: front page image
(EN)A self-aligned MISFET transistor (500H) on a silicon substrate (502), but having a graded SiGe channel or a Ge channel. The channel (526) is formed using gas-cluster ion beam (524) irradiation and provides higher channel mobility than conventional silicon channel MISFETs. A manufacturing method for such a transistor is based on a replacement gate process flow augmented with a gas-cluster ion beam processing step or steps to form the SiGe or Ge channel. The channel may also be doped by gas-cluster ion beam processing either as an auxiliary step or simultaneously with formation of the increased mobility channel.
(FR)La présente invention a trait à un transistor MISFET (500H) sur un substrat de silicium (502), mais comportant un canal à base de SiGe calibré ou à base de Ge. Le canal (526) est formé à l'aide d'une irradiation par faisceau ionique à agrégats gazeux (524) et permet d'obtenir une mobilité de canal supérieure à celle des transistors MISFET à canal de silicium classiques. L'invention a également trait à un procédé pour la fabrication d'un tel transistor basé sur un procédé à flux continu de grille de rechange activé par une ou des étapes de traitement par faisceau ionique à agrégats gazeux pour former le canal à base de SiGe ou de Ge. Le canal peut également être dopé par le traitement par faisceau ionique à agrégats gazeux soit sous la forme d'une étape subsidiaire ou simultanément avec la formation du canal à mobilité accrue.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)