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1. (WO2007001825) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A CONDUCTION ENHANCEMENT LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/001825    International Application No.:    PCT/US2006/022922
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 12.06.2006
IPC:
H01L 29/772 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Applicants: TELEDYNE LICENSING, LLC [US/US]; 1049 Camino Dos Rios, P.O. Box 1085, Mail Code A15, Thousand Oaks, CA 914358-0085 (US) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Qingchun; (US) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Qingchun; (US)
Agent: PATRICK, Steven, C.; Koppel, Patrick & Heybl, 555 St. Charles Drive, Suite 107, Thousand Oaks, CA 91360 (US)
Priority Data:
11/157,229 20.06.2005 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A CONDUCTION ENHANCEMENT LAYER
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE COUCHE RENFORÇANT LA CONDUCTION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device includes a drift layer of a first conductivity type having a doping concentration and a conduction layer also of the first conductivity type on the drift layer that has a doping concentration greater than the doping concentration of the drift layer. The device also includes a pair of trench structures, each including a trench contact at one end and a region of a second conductivity type opposite the first conductivity type, at another end. Each trench structure extends into and terminates within the conduction layer such that the second-conductivity-type region is within the conduction layer. A first contact structure is on the drift layer opposite the conduction layer while a second contact structure is on the conduction layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend une couche de migration présentant un premier type de conductivité et une concentration de dopage; et une couche de conduction, placée sur la couche de migration et qui présente aussi le premier type de conductivité, mais dont la concentration de dopage est supérieure à celle de la couche de migration. Le dispositif comprend aussi deux structures de tranchée comportant chacune un contact de tranchée à une extrémité, et, à l'autre extrémité, une région d'un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité. Chaque structure de tranchée se déploie et aboutit dans la couche de conduction, de sorte que la région du deuxième type de conductivité se situe dans la couche de conduction. Une première structure de contact se situe sur la couche de migration opposée à la couche de conduction, et une deuxième structure de contact se situe sur la couche de conduction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)