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1. (WO2007001782) TUNABLE ANTIFUSE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/001782    International Application No.:    PCT/US2006/022278
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 08.06.2006
IPC:
H01L 21/82 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/44 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
PARRIS, Patrice, M. [GY/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Weize [CN/US]; (US) (For US Only).
MCKENNA, John, M. [US/US]; (US).
MORRISON, Jennifer, H. [US/US]; (US) (For US Only).
DE SOUZA, Richard, J. [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: PARRIS, Patrice, M.; (US).
CHEN, Weize; (US).
MCKENNA, John, M.; (US).
MORRISON, Jennifer, H.; (US).
DE SOUZA, Richard, J.; (US)
Agent: KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, Md:pl02, Austin, TX 78729 (US)
Priority Data:
11/169,962 28.06.2005 US
Title (EN) TUNABLE ANTIFUSE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) ELEMENT ANTIFUSIBLE ACCORDABLE ET PROCEDE POUR LE PRODUIRE
Abstract: front page image
(EN)A tunable antifuse element (102, 202, 204, 504, 952) and method of fabricating the tunable antifuse element, including a substrate material (101) having an active area (106) formed in a surface, a gate electrode (104) having at least a portion positioned above the active area (106), and a dielectric layer (110) disposed between the gate electrode (104) and the active area (106). The dielectric layer (110) including the fabrication of one of a tunable stepped structure (127). During operation, a voltage applied between the gate electrode (104) and the active area (106) creates a current path through the dielectric layer (110) and a rupture of the dielectric layer (110) in a plurality of rupture regions (130). The dielectric layer (110) is tunable by varying the stepped layer thicknesses and the geometry of the layer.
(FR)La présente invention concerne un élément antifusible accordable (102, 202, 204, 504, 952) et un procédé pour le fabriquer. Cet élément comprend une matière de substrat (101) qui présente une zone active (106) formée dans une surface, une électrode de grille (104) qui présente au moins une partie placée au-dessus de la zone active (106), ainsi qu'une couche diélectrique (110) qui est placée entre l'électrode de grille (104) et la zone active (106). La couche diélectrique (110) implique la fabrication d'une structure à gradins accordable (127). En service, une tension appliquée entre l'électrode de grille (104) et la zone active (106) créé une voie de courant à travers la couche diélectrique (110) et une rupture de la couche diélectrique (110) dans plusieurs régions de rupture (130). La couche diélectrique (110) peut être accordée en faisant varier les épaisseurs de couches en gradins et la géométrie de la couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)