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1. (WO2007001647) MULTIPLE MASK PROCESS WITH ETCH MASK STACK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/001647    International Application No.:    PCT/US2006/018144
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 10.05.2006
IPC:
H01L 21/461 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, California 94438-6470 (US) (For All Designated States Except US).
SADJADI, S.M., Reza [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SADJADI, S.M., Reza; (US)
Agent: LEE, Michael, B.K.; BEYER WEAVER & THOMAS, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, California 94612-0250 (US)
Priority Data:
11/170,273 28.06.2005 US
Title (EN) MULTIPLE MASK PROCESS WITH ETCH MASK STACK
(FR) PROCEDE DE MASQUES MULTIPLES A EMPILEMENT DE MASQUES DE GRAVURE
Abstract: front page image
(EN)A method for forming etch features in an etch layer over a substrate is provided. An etch mask stack is formed over the etch layer. A first mask is formed over the etch mask stack. A sidewall layer is formed over the first mask, which reduces the widths of the spaces defined by the first mask. A first set of features is etched into the etch mask stack through the sidewall layer. The mask and sidewall layer are removed. An additional feature step is performed, comprising forming an additional mask over the etch mask stack, forming a sidewall layer over the additional mask, etching a second set of features at least partially into the etch mask stack. A plurality of features is etched into the etch layer through the first set of features and the second set of features in the etch mask stack.
(FR)La présente invention a trait à un procédé pour la formation d'éléments de gravure dans une couche de gravure sur un substrat. Une empilement de masques est formé sur la couche de gravure. Un premier masque est formé sur l'empilement de masques de gravure. Une couche de paroi latérale est formée sur le premier masque, qui réduit les largeurs des intervalles définis par le premier masque. Un premier ensemble d'éléments est gravé dans l'empilement de masques à travers la couche de paroi latérale. Le masque et la couche de paroi latérale sont éliminés. Une étape d'élément additionnelle est réalisée, comprenant la formation d'un masque additionnel sur l'empilement de masques de gravure, la formation d'une couche de paroi latérale sur le masque additionnel, la gravure d'un deuxième ensemble d'éléments au moins en partie dans l'empilement de masques de gravure. Une pluralité d'éléments est gravée dans chaque couche de gravure à travers le premier ensemble d'éléments et le deuxième ensemble d'éléments dans l'empilement de masques de gravure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)