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1. (WO2007001617) METHOD OF MAKING A SUBSTRATE CON TACT FOR A CAPPED MEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/001617    International Application No.:    PCT/US2006/016265
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 28.04.2006
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/4763 (2006.01), H01L 21/44 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 3501 West William Cannon Drive, Austin, Texas 78735 (US) (For All Designated States Except US).
SALIAN, Arvind, S. [IN/US]; (US) (For US Only).
DESAI, Hemant, D. [US/US]; (US) (For US Only).
HOOPER, Stephen, R. [US/US]; (US) (For US Only).
MCDONALD, William, G. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SALIAN, Arvind, S.; (US).
DESAI, Hemant, D.; (US).
HOOPER, Stephen, R.; (US).
MCDONALD, William, G.; (US)
Agent: KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Priority Data:
11/158,795 21.06.2005 US
Title (EN) METHOD OF MAKING A SUBSTRATE CON TACT FOR A CAPPED MEMS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT DE SUBSTRAT POUR UN MEMS PROTÉGÉ AU NIVEAU DU BOÎTIER
Abstract: front page image
(EN)Methods have been provided for forming a micro-electromechanical systems ('MEMS') device (100) from a substrate (500) comprising a handle layer (108) and a cap (132) overlying the handle layer (108). In one exemplary embodiment, the method includes cutting through the substrate (500) to separate the substrate (500) into a first die (148) and a second die (150), the first die (148) having a first sidewall (138), and depositing a conductive material (182) onto the first sidewall (138) to electrically couple the cap (132) to the handle layer (108).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de microsystèmes électromécaniques (« MEMS ») (100) à partir d'un substrat (500) comprenant une couche d'espacement (108) et un couvercle (132) recouvrant la couche d'espacement (108). Dans un mode de réalisation exemplaire, le procédé comprend le découpage à travers le substrat (500) pour séparer le substrat (500) en une première puce (148) et en une seconde puce (150), la première puce (148) comportant une première paroi latérale (138), et la déposition sur la première paroi latérale (138) d'un matériau conducteur (182) pour coupler électriquement le couvercle (132) à la couche d'espacement (108).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)