WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007001299) METHOD FOR PRODUCING DISLOCATION-FREE STRAINED CRYSTALLINE FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/001299    International Application No.:    PCT/US2005/022683
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 28.06.2005
IPC:
H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/46 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 5th Floor, 1111 Franklin Street, Oakland, California 94607 (US) (For All Designated States Except US).
XIE, Ya-Hong [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: XIE, Ya-Hong; (US)
Agent: DAVIDSON, Michael; Cohen Sakaguchi & English LLP, 2040 Main Street, 9th Floor, Irvine, California 92614 (US)
Priority Data:
11/168,171 27.06.2005 US
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING DISLOCATION-FREE STRAINED CRYSTALLINE FILMS
(FR) PROCEDE SERVANT A FABRIQUER DES COUCHES CRISTALLINES CONTRAINTES EXEMPTES DE DISLOCATION
Abstract: front page image
(EN)A method for forming dislocation-free strained silicon thin film includes the step of providing two curved silicon substrates. One substrate is curved by the presence of silicon dioxide on a back surface. The other substrate is curved by the presence of a silicon nitride layer. One of the substrates is subject to hydrogen implantation and the two substrates are bonded to one another in an annealing process. The two substrates are separated, thereby leaving a layer of strained silicon on a front side of one of the substrates. A back side layer of silicon dioxide or silicon nitride is then removed to restore the substrate to a substantially planar state. The method may be employed to form dislocation-free strained silicon thin films. The films may be under tensile or compressive strain.
(FR)Procédé servant à créer une couche mince de silicium contrainte et exempte de dislocation, ce qui consiste à: mettre en application deux substrats incurvés de silicium, un de ces substrats étant incurvé sous l'effet de la présence de dioxyde de silicium sur une surface arrière et l'autre substrat étant incurvé sous l'effet de la présence d'une couche de nitrure de silicium; soumettre un de ces substrats à une implantation d'hydrogène et faire adhérer les deux substrats l'un à l'autre au moyen d'un recuit. Ceci consiste également à séparer les deux substrats, ce qui permet de laisser une couche de silicium contraint sur un côté avant d'un de ces substrats, puis à retirer une couche latérale arrière de dioxyde de silicium ou de nitrure de silicium afin de remettre le substrat dans un état pratiquement plat. On peut utiliser ce procédé afin de créer des couches minces de silicium contraintes et exemptes de dislocation. Ces couches peuvent être soumises à une contrainte par traction ou par compression.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)