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1. (WO2007001296) METHOD FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IN HIGH ASPECT RATIO SPACES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/001296    International Application No.:    PCT/US2005/022672
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 28.06.2005
IPC:
H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 5th Floor, 1111 Franklin Street, Oakland, California 94607 (US) (For All Designated States Except US).
XIE, Ya-Hong [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: XIE, Ya-Hong; (US)
Agent: DAVIDSON, Michael; Cohen Sakaguchi & English LLP, 2040 Main Street, 9th Floor, Irvine, California 92614 (US)
Priority Data:
11/169,244 27.06.2005 US
Title (EN) METHOD FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IN HIGH ASPECT RATIO SPACES
(FR) PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DANS DES ESPACES A GRAND ALLONGEMENT
Abstract: front page image
(EN)A method of depositing conformal film into high aspect ratio spaces includes the step of forming a gradient of precursor gas inside the space (s) prior to deposition. The gradient may be formed, for example, by reducing the pressure within the deposition chamber or by partial evacuation of the deposition chamber. The temperature of the substrate is then briefly increased to preferentially deposit precursor material within the closed or 'deep' portion of the high aspect ratio space. The process may be repeated for a number of cycles to completely fill the space (s). The process permits the filling of high aspect ratio spaces without any voids or keyholes that may adversely impact the performance of the resulting device.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche conforme dans des espaces à grand allongement, qui consiste à: former un gradient de gaz précurseur dans le ou les espaces avant la réalisation du dépôt. Le gradient peut être formé, par exemple, par réduction de la pression à l'intérieur de la chambre de dépôt ou par évacuation partielle de la chambre de dépôt. La température du substrat est ensuite brièvement augmentée pour déposer de préférence le matériau précurseur à l'intérieur de la partie fermée ou 'profonde' de l'espace à grand allongement. Le procédé peut être répété pendant plusieurs cycles afin de remplir complètement l'espace. Le procédé permet de remplir des espaces à grand allongement sans laisser un quelconque vide ou trou de serrure pouvant avoir une incidence négative sur la performance du dispositif ainsi réalisé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)