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1. (WO2007001146) SEPARATION TYPE UNIT PIXEL OF 3-DIMENSIONAL IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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Pub. No.: WO/2007/001146 International Application No.: PCT/KR2006/002482
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 27.06.2006
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144
Devices controlled by radiation
146
Imager structures
Applicants:
SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F Yewon Bldg, 75-1 Yangjae-dong, Seocho-gu Seoul 137-130, KR (AllExceptUS)
LEE, Do Young [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventors:
LEE, Do Young; KR
Agent:
LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13 Samseong-dong, Kangnam-ku Seoul 135-090, KR
Priority Data:
10-2005-005603628.06.2005KR
Title (EN) SEPARATION TYPE UNIT PIXEL OF 3-DIMENSIONAL IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) PIXEL D'UNITE DE TYPE SEPARATION 3D DESTINE A UN CAPTEUR D'IMAGE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract:
(EN) A separation type unit pixel of an image sensor, which can control light that incidents onto a photodiode at various angles, and be suitable for a zoom function in a compact camera module by securing an incident angle margin, and a manufacturing method thereof are provided. The unit pixel of an image sensor includes: a first wafer including a photodiode containing impurities having an impurity type opposite to that of a semiconductor material and a pad for transmitting photoelectric charge of the photodiode to outside; a second wafer including a pixel array region in which transistors except the photodiode are arranged regularly, a peripheral circuit region having an image sensor structure except the pixel array, and a pad for connecting pixels with one another; and a connecting means connecting the pad of the first wafer and the pad of the second wafer. Accordingly, manufacturing processes can be simplified by constructing the upper wafer using only a photodiode and the lower wafer using the pixel array region except the photodiode, and costs are reduced since transistors are not included in the upper wafer portion, which in turn cannot affect the interaction with light.
(FR) L'invention concerne un pixel d'unité de type séparation de capteur d'image. Ce pixel permet de commander une lumière incidente sur une photodiode à des angles variés, et est approprié pour une fonction zoom dans un module de caméra compact par fixation d'une marge d'angle incident. L'invention concerne également le procédé de production dudit pixel. Le pixel d'unité de capteur d'image comprend: une première plaquette renfermant une photodiode qui contient des impuretés de type opposé à celles d'un matériau semi-conducteur, et une plage de connexion permettant de transmettre une charge photoélectrique de la photodiode à l'extérieur; une seconde plaquette comprenant une région de réseau de pixels dans laquelle les transistors à l'exception de la photodiode sont agencés régulièrement, une région de circuit périphérique dotée d'une structure de capteur d'image à l'exception du réseau de pixels, et une plage de connexion permettant de connecter les pixels les uns avec les autres; et un organe de connexion permettant de connecter la plage de connexion de la première plaquette et la plage de connexion de la seconde plaquette. En conséquence, il est possible de simplifier les procédés de production par construction de la plaquette supérieure uniquement à l'aide d'une photodiode et de la plaquette inférieure à l'aide de la région de réseau de pixels à l'exception de la photodiode. Il est également possible de réduire les coûts du fait qu'aucun transistor n'est inclus dans la partie de plaquette supérieure, ce qui à son tour ne peut affecter l'interaction avec la lumière.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP1900031JP2008544571US20100013907US20120264251JP2013084980CN101213669