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1. (WO2007001112) PHASE CHANGE MATERIAL FOR HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/001112    International Application No.:    PCT/KR2006/001387
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 14.04.2006
IPC:
H01L 27/10 (2006.01)
Applicants: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; #39-1, Hawolgok-2-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-791 (KR)
Inventors: CHEONG, Byung-ki; (KR).
JEONG, Jeung-hyun; (KR).
KANG, Dae-Hwan; (KR).
JUNG, Han Ju; (KR).
LEE, Taek Sung; (KR).
KIM, In Ho; (KR).
KIM, Won Mok; (KR).
LEE, Kyeong Seok; (KR)
Agent: JANG, Seongku; 19th Fl., Trust Tower, #275-7, Yangjae-dong, Seocho-ku, Seoul 137-130 (KR)
Priority Data:
10-2005-0056892 29.06.2005 KR
Title (EN) PHASE CHANGE MATERIAL FOR HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY
(FR) MATERIAU A CHANGEMENT DE PHASE DE MEMOIRE REMANENTE HAUTE DENSITE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a phase change non-volatile memory material comprising a base material and at least one non-metallic light element selected from the group consisting of boron, carbon, nitrogen and oxygen, wherein the base material has a composition which corresponds to either that of congruent melting of the type with a minimum melting point or that of eutectic melting within the range of ±0.15 atomic fraction for each constituent element, thereby having a melting temperature of 600°C or lower. The phase change non-volatile memory material according to the present invention may be utilized to reduce the electric power needed for reset/set operation and thermal interference between memory cells.
(FR)La présente invention concerne un matériau à changement de phase de mémoire rémanente comprenant un matériau de base et au moins un élément léger non métallique sélectionné dans le groupe comprenant bore, carbone, nitrogène et oxygène, le matériau de base ayant une composition qui correspond à celle de fusion congruente du type à point de fusion minimum ou à celle de fusion eutectique dans la gamme de ± 0,15 fraction atomique de chaque élément constituant, et ayant donc une température de fusion égale ou inférieure à 600 °C. Le matériau à changement de phase de mémoire rémanente selon la présente invention peut servir à réduire la puissance électrique nécessaire à une opération d'initialisation/réinitialisation et l'interférence thermique entre des cellules de mémoire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)