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1. (WO2007000996) AVALANCHE PHOTODIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/000996    International Application No.:    PCT/JP2006/312800
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 27.06.2006
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
Applicants: NTT ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 12-1, Dogenzaka 1-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1500043 (JP) (For All Designated States Except US).
NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 3-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116 (JP) (For All Designated States Except US).
ISHIBASHI, Tadao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ANDO, Seigo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIROTA, Yukihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MURAMOTO, Yoshifumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ISHIBASHI, Tadao; (JP).
ANDO, Seigo; (JP).
HIROTA, Yukihiro; (JP).
MURAMOTO, Yoshifumi; (JP)
Agent: TANI, Yoshikazu; 6-20, Akasaka 2-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2005-186551 27.06.2005 JP
Title (EN) AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE D’AVALANCHE
(JA) アバランシ・フォトダイオード
Abstract: front page image
(EN)There has conventionally been a problem that an electron-injection APD in which an InP buffer layer having an n-type doped region is interposed between an avalanche multiplication layer and an n-type electrode layer is required to have a dark current prevented from being increased and to have an ensured device life. Particularly, the electron injection ADP has been required to have an improved reliability by preventing edge breakdown and to be fabricated at low lost by a simple production technique. An n-type doping region is formed inside a region defined by a light-absorption layer in an InP buffer layer, a predetermined doping profile is thereby defined by ion implantation, and the electric filed concentration by an avalanche multiplication layer is mitigated. A second lightly-doped light-absorption layer is interposed between the light-absorption layer and the avalanche multiplication layer. Consequently, the photodetection efficiency is maximized, the depletion of the side surface of the light-absorption layer is suppressed, and thus electric field concentration is prevented. The edge breakdown is suppressed and the device reliability is improved.
(FR)Un problème dans l’art antérieur est qu’un APD d’injection d’électrons dans lequel une couche tampon InP ayant une région dopée de type n est interposée entre une couche de multiplication d’avalanche et une couche d’électrode de type n doit avoir un courant sombre dont l’augmentation est bloquée et doit avoir une durée de vie de dispositif garantie. En particulier, l’ADP d’injection d’électrons doit présenter une fiabilité accrue en prévenant toute rupture marginale et être fabriqué à faible coût grâce à une simple technique de production. Une région de dopage de type n est formée dans une région définie par une couche d’absorption de lumière dans une couche tampon InP, on définit ainsi un profil de dopage prédéterminé par implantation ionique, et l’on atténue la concentration de champ électrique par une couche de multiplication d’avalanche. Une seconde couche d’absorption de lumière légèrement dopée est interposée entre la couche d’absorption de lumière et la couche de multiplication d’avalanche. En conséquence, l’efficacité de photodétection est optimisée, l’appauvrissement de la surface latérale de la couche d’absorption de lumière est supprimé et la concentration de champ électrique est éliminée. On supprime la rupture marginale et l’on améliore la fiabilité du dispositif.
(JA) n形ドーピングされた領域を持つInpバッファ層がなだれ増倍層とn形電極層との間に配置された電子注入形APDにおいては、暗電流の増大防止とデバイスの寿命確保という課題があった。特に、エッジブレークダウンを防止して信頼性を向上させること、簡単な製造技術により低コストで製造ができることが望まれていた。InPバッファ層内に、光吸収層によって規定される領域の内側にn形ドーピング領域を設け、イオン注入法により所定のドーピングプロファイルとすることによって、なだれ増倍層における電界集中を緩和した。さらに、低濃度の第2の光吸収層を光吸収層となだれ増倍層の間に設けて、受光効率を最大化し、光吸収層の側面の空乏化を抑制して電界集中を防止する。エッジブレークダウン抑制し、素子の信頼性を向上させた。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)