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1. (WO2007000867) GALLIUM OXIDE-ZINC OXIDE SPUTTERING TARGET, METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/000867    International Application No.:    PCT/JP2006/310734
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 30.05.2006
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/453 (2006.01), G02B 1/10 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Applicants: Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (For All Designated States Except US).
OSADA, Kozo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OSADA, Kozo; (JP)
Agent: OGOSHI, Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F 3-1-10 Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2005-187554 28.06.2005 JP
2005-313219 27.10.2005 JP
Title (EN) GALLIUM OXIDE-ZINC OXIDE SPUTTERING TARGET, METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION D’OXYDE DE GALLIUM-OXYDE DE ZINC, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PELLICULE TRANSPARENTE CONDUCTRICE ET PELLICULE TRANSPARENTE CONDUCTRICE
(JA) 酸化ガリウム-酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜
Abstract: front page image
(EN)A high-density gallium oxide-zinc oxide sintered sputtering target, characterized by containing 20 to 500 massppm of aluminum oxide. A gallium oxide (Ga2O3)-zinc oxide (ZnO) sputtering target (GZO target) is doped with a minute amount of specified element to thereby attain an enhancement of conductivity and target bulk density, namely, improve a component formulation, raise a sintered density and suppress any nodule formation so as to obtain a target capable of preventing any abnormal electric discharge and particle occurrence. Further, there is provided a method of forming a transparent conductive film by the use of the above target, and provided a transparent conductive film formed thereby.
(FR)Cible de pulvérisation frittée d’oxyde de gallium-oxyde de zinc à haute densité, caractérisée en ce qu’elle contient 20 à 500 ppm en masse d’oxyde d’aluminium. La cible de pulvérisation d'oxyde de gallium (Ga2O3)-oxyde de zinc (ZnO) selon l’invention (cible GZO) est dopée avec une minuscule quantité d’un élément spécifié afin d'obtenir une amélioration de la conductivité et de la densité apparente de la cible, à savoir améliorer la formule d'un composant, augmenter la densité frittée et supprimer toute formation de nodule de façon à obtenir une cible capable d’empêcher toute décharge électrique anormale et toute apparition de particule. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une pellicule conductrice transparente au moyen de la cible ci-dessus, et une pellicule conductrice transparente ainsi fabriquée.
(JA)酸化アルミニウムを20~500massppm含有することを特徴とする高密度酸化ガリウム-酸化亜鉛系焼結体スパッタリングターゲット。酸化ガリウム(Ga2O3)-酸化亜鉛(ZnO)系スパッタリングターゲット(GZO系ターゲット)に、特定の元素を微量添加して導電性とターゲットのバルク密度を改善する、すなわち成分組成を改善して、焼結密度を上げ、ノジュールの形成を抑制し、異常放電及びパーティクルの発生を防止することができるターゲットを得るとともに、同ターゲットを用いて透明導電膜を形成する方法及びそれによって形成された透明導電膜を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)