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1. (WO2007000838) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LIFETIME CONTROL REGION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/000838    International Application No.:    PCT/JP2006/304629
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 09.03.2006
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 3-6-3, Kitano, Niiza-shi, Saitama 3528666 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAHASHI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAHASHI, Tetsuya; (JP)
Agent: TAKAHASHI, Norio; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
Priority Data:
2005-190048 29.06.2005 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LIFETIME CONTROL REGION
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE ZONE DE CONTRÔLE DE DURÉE DE VIE
(JA) ライフタイム制御領域を有する半導体装置
Abstract: front page image
(EN)In a semiconductor device having an insulated gate structure in which a channel is formed along the sidewall of a trench formed in a semiconductor substrate, a lifetime control region having a shorter carrier lifetime than the other regions is formed between the sidewalls of adjacent trenches. The lifetime control region is typically formed in a first semiconductor region between the opposing trenches, and is formed so as to have a shorter carrier lifetime than the remaining part of the first semiconductor region and the other semiconductor regions.
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur présentant une structure de gâchette isolée dans laquelle est creusé un canal le long de la paroi latérale d’une souille disposée sur un substrat semi-conducteur, dans lequel dispositif une zone de contrôle de durée de vie présentant une durée de vie de porteurs plus courte que les autres zones est placée entre les parois latérales des souilles adjacentes. La zone de contrôle de durée de vie est typiquement placée dans une première zone de semi-conducteur entre les souilles opposées et est formée de façon que sa durée de vie de porteurs soit inférieure aux autres parties de la première zone de semi-conducteurs et des autres zones de semi-conducteurs.
(JA) 半導体基板上に形成されたトレンチの側壁に沿ってチャネルが形成される絶縁ゲート構造を有する半導体装置において、隣り合うトレンチの側壁間にキャリアのライフタイムが他の領域におけるキャリアのライフタイムと比較して小さくしたライフタイム制御領域を形成した。典型的には、ライフタイム制御領域は、互いに対向する前記トレンチ間の、第1の半導体領域内に設けられ、この第1の半導体領域の残りの部分や、その他の半導体領域のキャリアのライフタイムよりも、小さいライフタイムのキャリアを有するように形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)