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1. (WO2007000690) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH SUCH A METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/000690    International Application No.:    PCT/IB2006/052013
Publication Date: 04.01.2007 International Filing Date: 21.06.2006
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
SONSKY, Jan [CZ/BE]; (NL) (For US Only).
MEUNIER-BEILLARD, Philippe [FR/BE]; (NL) (For US Only).
VAN DALEN, Rob [NL/NL]; (NL) (For US Only).
WILLEMSEN, Marnix, B. [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: SONSKY, Jan; (NL).
MEUNIER-BEILLARD, Philippe; (NL).
VAN DALEN, Rob; (NL).
WILLEMSEN, Marnix, B.; (NL)
Agent: PENNINGS, Johannes; NXP Semiconductors, IP Department, High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL)
Priority Data:
05105719.8 27.06.2005 EP
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH SUCH A METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS OBTENU SELON CE PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method. The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device (10) with a substrate (11) and a semiconductor body (12) of silicon which is provided with at least one semiconductor element, wherein in the semiconductor body (12) a semiconductor region (1) of a material comprising a mixed crystal of silicon and another group IV element is formed which semiconductor region (1,111) is buried by a silicon layer (2). According to the invention on a surface of the semiconductor body (12) a mask (3) comprising an opening (4) is provided, the semiconductor region (1,111) of the material comprising a mixed crystal of silicon and another group IV element is selectively deposited in the opening (4,44), the mask (3,33) is at least partly removed, and subsequently the silicon layer (2) is deposited uniformly on the surface of the semiconductor body (12). In this way various high-quality devices can be obtained. The semiconductor region (1,111) preferably comprises SiGe and may form part of the device (10) or may be sacrificed in order to form an insulating or conducting region in the device (10).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs et un dispositif à semi-conducteurs obtenu selon ce procédé. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs (10) qui comprend un substrat (11) et un corps semi-conducteur (12) de silicium pourvu d'au moins un autre élément semi-conducteur. Une région semi-conductrice (1) composée d'un matériau comprenant un cristal de silicium mélangé et un autre élément du groupe IV est formée dans le corps semi-conducteur (12). Cette région (1, 111) est recouverte par une couche de silicium (2). Selon l'invention, un masque (3) est formé sur une surface du corps semi-conducteur (12), ce masque comprenant une ouverture. La région semi-conductrice (1, 111) du matériau comprenant un cristal de silicium mélangé et un autre élément du groupe IV est sélectivement déposée dans l'ouverture (4, 44) ; le masque (3, 33) est au moins partiellement éliminé ; et la couche de silicium (2) est ensuite déposée uniformément sur la surface du corps semi-conducteur (12). Divers dispositifs de haute qualité peuvent être ainsi obtenus. La région semi-conductrice (1, 111) comprend de préférence du SiGe et peut faire partie du dispositif (10) ou être sacrifiée de façon à former une région isolante ou conductrice dans le dispositif (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)