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1. (WO2006128028) WAFER-LEVEL, POLYMER-BASED ENCAPSULATION FOR MICROSTRUCTURE DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/128028    International Application No.:    PCT/US2006/020532
Publication Date: 30.11.2006 International Filing Date: 25.05.2006
IPC:
H01B 13/00 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN OFFICE OF TECHNOLOGY TRANSFER [US/US]; Wolverine Tower, Room 2071, 3003 South State Street, Ann Arbor, MI 48109-1280 (US) (For All Designated States Except US).
WISE, Kensall, D. [US/US]; (US) (For US Only).
GULARI, Mayurachat, Ning [US/US]; (US) (For US Only).
YAO, Ying [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WISE, Kensall, D.; (US).
GULARI, Mayurachat, Ning; (US).
YAO, Ying; (US)
Agent: BRAIDWOOD, G., Christopher; Marshall, Gerstein & Borun LLP, 233 S. Wacker Drive, Suite 6300, Sears Tower, Chicago, IL 60606-6357 (US)
Priority Data:
60/684,596 25.05.2005 US
Title (EN) WAFER-LEVEL, POLYMER-BASED ENCAPSULATION FOR MICROSTRUCTURE DEVICES
(FR) ENCPASULATION POLYMERE DE NIVEAU PLAQUETTE POUR DISPOSITIFS A MICROSTRUCTURE
Abstract: front page image
(EN)Disclosed herein is a method of fabricating a device having a microstructure. The method includes forming a connector on a semiconductor substrate, coating the connector with a polymer layer, and immersing the semiconductor substrate and the coated connector in an etchant solution to form the microstructure from the semiconductor substrate and to release the coated connector and the microstructure from the semiconductor substrate such that the microstructure remains coupled to a further element of the device via the coated connector. In some cases, the microstructure is defined by forming an etch stop in the semiconductor substrate, and the microstructure and the semiconductor substrate are coated with a polymer layer, which may then be selectively patterned. The microstructure may then be released from the semiconductor substrate in accordance with the etch stop.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à microstructure. Ce procédé englobe les opérations suivantes: formation d'un connecteur sur un substrat semi-conducteur, application d'une couche polymère sur le connecteur et immersion du substrat semi-conducteur et du connecteur enduit dans une solution d'attaque dans le but de former la microstructure, et séparation du le connecteur enduit et de la microstructure du substrat semi-conducteur de telle sorte que la microstructure reste reliée à un autre élément du dispositif via le connecteur enduit. Dans certains cas, la microstructure est délimitée par une butée d'attaque dans le substrat semi-conducteur. La microstructure et le semi-conducteur sont enduits d'une couche polymère, laquelle peut être gravée sélectivement. La microstructure peut alors être séparée du substrat semi-conducteur le long du tracé de la butée d'attaque.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)