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1. (WO2006127462) METHOD TO INCREASE THE COMPRESSIVE STRESS OF PECVD SILICON NITRIDE FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/127462    International Application No.:    PCT/US2006/019458
Publication Date: 30.11.2006 International Filing Date: 18.05.2006
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450a, Santa Clara, California 95052 (US) (For All Designated States Except US).
BALSEANU, Mihaela [RO/US]; (US) (For US Only).
XIA, Li-Qun [US/US]; (US) (For US Only).
ZUBKOV, Vladimir [US/US]; (US) (For US Only).
SHEK, Mei-Yee [US/US]; (US) (For US Only).
ROFLOX, Isabelita [PH/US]; (US) (For US Only).
M'SAAD, Hichem [TN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BALSEANU, Mihaela; (US).
XIA, Li-Qun; (US).
ZUBKOV, Vladimir; (US).
SHEK, Mei-Yee; (US).
ROFLOX, Isabelita; (US).
M'SAAD, Hichem; (US)
Agent: TOBIN, Kent, J.; Two Embarcadero Center, 8th Floor, San Francisco, California 94111-3834 (US)
Priority Data:
60/685,365 26.05.2005 US
60/701,854 21.07.2005 US
11/398,146 05.04.2006 US
Title (EN) METHOD TO INCREASE THE COMPRESSIVE STRESS OF PECVD SILICON NITRIDE FILMS
(FR) METHODE POUR AUGMENTER LA CONTRAINTE DE COMPRESSION DE FILMS EN NITRURE DE SILICIUM DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVE PAR PLASMA
Abstract: front page image
(EN)Compressive stress in a film of a semiconductor device may be controlled utilizing one or more techniques, employed alone or in combination. A first set of embodiments increase silicon nitride compressive stress by adding hydrogen to the deposition chemistry, and reduce defects in a device fabricated with a high compressive stress silicon nitride film formed in the presence of hydrogen gas. A silicon nitride film may comprise an initiation layer formed in the absence of a hydrogen gas flow, underlying a high stress nitride layer formed in the presence of a hydrogen gas flow. A silicon nitride film formed in accordance with an embodiment of the present invention may exhibit a compressive stress of 2.8 GPa or higher.
(FR)La contrainte de compression d'un film d'un dispositif semi-conducteur peut être contrôlée à l'aide d'au moins une technique, employée seule ou combinée. Un premier ensemble de mode de réalisation de l'invention permet d'augmenter la contrainte de compression de nitrure de silicium par l'ajout d'hydrogène à la chimie de dépôt, et permet de réduire les défauts dans un dispositif fabriqué avec un film en nitrure de silicium à contrainte de compression élevée formé en présence de gaz hydrogène. Le film en nitrure de silicium peut comprendre une couche d'initiation formée en l'absence d'un flux de gaz hydrogène, sous-jacente à une couche de nitrure à contrainte élevée formée en présence d'un flux de gaz hydrogène. Un film de nitrure de silicium formé selon un mode de réalisation de l'invention peut présenter une contrainte de compression supérieure ou égale à 2,8 GPa.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)