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1. (WO2006126792) UNIT PIXEL OF IMAGE SENSOR HAVING IMPROVED TRANSMISSION EFFICIENCY OF TRANSMISSION TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/126792    International Application No.:    PCT/KR2006/001816
Publication Date: 30.11.2006 International Filing Date: 16.05.2006
IPC:
H01L 27/14 (2006.01)
Applicants: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F Yewon Bldg, 75-1, Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Do Young [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Do Young; (KR)
Agent: LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13, Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Priority Data:
10-2005-0042917 23.05.2005 KR
Title (EN) UNIT PIXEL OF IMAGE SENSOR HAVING IMPROVED TRANSMISSION EFFICIENCY OF TRANSMISSION TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) PIXEL UNITAIRE D’UN CAPTEUR D’IMAGE AYANT UNE EFFICACITE DE TRANSMISSION AMELIOREE DU TRANSISTOR DE TRANSMISSION ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A unit pixel of an image sensor capable of enhancing a transmission efficiency of a transmission transistor and decreasing a gate length of the transmission transistor is provided. The unit pixel of the image sensor includes a semiconductor substrate having a predetermined indented region, a gate insulation film formed with a predetermined thickness on the semiconductor substrate having the predetermined indented region, a gate of a transmission transistor of which a part is buried in the indented region on the gate insulation film, a photodiode including a deep N- impurity region and a P impurity region formed in the semiconductor substrate on the opposite side of the part of the gate buried in the predetermined indented region of the semiconductor substrate, and an N+ impurity region formed in the semiconductor substrate on the opposite side of the part of the gate buried in the predetermined region of the semiconductor substrate. Accordingly, it is possible to prevent an occurrence of pinch-off in a source region, and to enhance the transmission efficiency by partially forming the gate of the transmission transistor in the predetermined indented region of the semiconductor substrate.
(FR)L’invention concerne un pixel unitaire d’un capteur d’image en mesure d’améliorer l’efficacité de transmission d’un transistor de transmission et de diminuer la longueur de grille de ce même transistor. Le pixel unitaire du capteur d’image inclut un substrat à semi-conducteurs ayant une région en creux prédéterminée. Est également inclus un film d’isolation de grille formé avec une épaisseur prédéterminée sur le substrat à semi-conducteurs ayant une région en creux prédéterminée. Le dispositif comprend aussi une porte d’un transistor de transmission dont une partie est enterrée dans la région en creux sur le film d’isolation de grille, ainsi qu’une photodiode incluant une région profonde d’impuretés N- et une région d’impuretés P formées dans le substrat à semi-conducteurs sur le côté opposé de la partie de la grille enterrée dans la région en creux prédéterminée de ce même substrat, et une région d’impuretés N+ formée dans le substrat à semi-conducteurs sur le côté opposé de la partie de la grille enterrée dans la région prédéterminée de ce même substrat. Par conséquent, il est possible d’empêcher qu’un pincement ne se produise dans une région de source, ainsi que d'améliorer l'efficacité de transmission en formant partiellement la grille du transistor de transmission dans la région en creux prédéterminée sur le substrat à semi-conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)