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1. (WO2006126598) METHOD FOR CONTINUOUSLY DEPOSITING HIGH RESISTANCE BUFFER LAYER/WINDOW LAYER (TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM) OF CIS BASED THIN FILM SOLAR CELL AND CONTINUOUS FILM DEPOSITION EQUIPMENT FOR CARRYING OUT THAT METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/126598    International Application No.:    PCT/JP2006/310371
Publication Date: 30.11.2006 International Filing Date: 24.05.2006
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SHOWA SHELL SEKIYU K.K. [JP/JP]; 2-3-2, Daiba, Minato-ku, Tokyo 1358074 (JP) (For All Designated States Except US).
KUSHIYA, Katsumi; (For US Only)
Inventors: KUSHIYA, Katsumi;
Agent: NAITO, Teruo; Shin-ei Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2005-155712 27.05.2005 JP
Title (EN) METHOD FOR CONTINUOUSLY DEPOSITING HIGH RESISTANCE BUFFER LAYER/WINDOW LAYER (TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM) OF CIS BASED THIN FILM SOLAR CELL AND CONTINUOUS FILM DEPOSITION EQUIPMENT FOR CARRYING OUT THAT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPOSITION CONTINUE DE COUCHE TAMPON HAUTE RÉSISTANCE/DE COUCHE DE FENÊTRE (FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT) DE PILE SOLAIRE À FILM MINCE À BASE CIS ET ÉQUIPEMENT DE DÉPOSITION DE FILM CONTINUE POUR RÉALISER CE PROCÉDÉ
(JA) CIS系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層(透明導電膜)連続製膜方法及びその連続製膜方法を実施するための連続製膜装置
Abstract: front page image
(EN)A method for continuously depositing a high resistance buffer layer and a window layer (transparent conductive film) by MOCVD method in which output characteristics equivalent to those in conventional solution growth method can be attained while simplifying the method and equipment for film deposition and sharply reducing production costs by reducing the material cost and the waste treatment cost. Since a multilayer structure is formed continuously in the order of a high resistance buffer layer (1D) and a window layer (1E) by MOCVD on the light absorbing layer (1C) of a solar cell semi-finished substrate where a metal rear surface electrode layer (1B) and the light absorbing layer (1C) are deposited sequentially on a glass substrate (1A), film deposition method and equipment are simplified and the material cost and the waste treatment cost can be reduced.
(FR)L’invention concerne un procédé de déposition continue d’une couche tampon haute résistance et d’une couche de fenêtre (film conducteur transparent) selon un procédé MOCVD dans lequel on peut obtenir des caractéristiques de rendement équivalentes à celles d’un procédé conventionnel de croissance de solution tout en simplifiant le procédé et l’équipement de déposition de film et en réduisant nettement les coûts de production en jouant sur les coûts de matériaux et les coûts de traitement des déchets. Comme une structure multicouche est formée en continu dans l’ordre d’une couche tampon haute résistance (1D) et d’une couche de fenêtre (1E) par MOCVD sur la couche absorbant la lumière (1C) d’un substrat semi-fini de pile solaire où une couche d’électrode de surface arrière de métal (1B) et la couche absorbant la lumière (1C) sont déposées de manière séquentielle sur un substrat de verre (1A), le procédé et l’équipement de déposition de film sont simplifiés et les coûts de matériaux de même que les coûts de traitement des déchets peuvent être réduits.
(JA) MOCVD法により高抵抗バッファ層及び窓層(透明導電膜)を連続して製膜して、従来の溶液成長法による製膜方法と同等の出力特性を得ると共に、製膜方法及び装置を簡素化し、原材料費及び廃棄物処理費を削減して、製造コストを大幅に削減する。  ガラス基板1A上に金属裏面電極層1B、光吸収層1Cの順に製膜した太陽電池半製品基板の光吸収層1C上に、高抵抗バッファ層1D、窓層1Eの順序でMOCVD法により連続的に積層構造で製膜するので、製膜方法及び装置が簡素化され、原材料費及び廃棄物処理費を削減することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)