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1. (WO2006126576) MICRO REGION IMAGING DEVICE AND MICRO REGION IMAGING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/126576    International Application No.:    PCT/JP2006/310331
Publication Date: 30.11.2006 International Filing Date: 24.05.2006
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: SUZUKI, Kouichi [JP/JP]; (JP).
TAKAHASHI, Kazutoshi [JP/JP]; (JP) (For All Designated States Except US)
Inventors: SUZUKI, Kouichi; (JP)
Agent: WASHIZU, Mitsuhiro; Daisan-Taiyo Bldg. 8th Floor, 5-1, Ginza 1-Chome Chuo-ku Tokyo 1040061 (JP)
Priority Data:
2005-153283 26.05.2005 JP
Title (EN) MICRO REGION IMAGING DEVICE AND MICRO REGION IMAGING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT D’IMAGE PAR MICRO REGION
(JA) 微細領域撮像装置及び微細領域撮像方法
Abstract: front page image
(EN)It is possible to provide a micro region imaging device capable of performing high-speed scan with a high resolution while eliminating affect of an external noise and a DC level change of substrate current. The micro region imaging device includes an electron beam irradiation unit (102) for applying an electron beam X to a semiconductor wafer (10) as an imaging object; a current detection unit (110) for detecting an AC component of the substrate current i generated by irradiation of the electron beam X; and an image data generation unit (120) for generating image data indicating the surface state of the semiconductor wafer (10) according to the output “out” of the current detection unit (110). Instead of directly detecting the substrate current i generated by irradiation of the electron beam X, its AC component is detected. Accordingly, even if a current drift is caused by the initial charge, it is possible to correctly perform imaging without being affected by the current drive. Moreover, the imaging is not much affected by the external noise such as vibration, thermal noise, or unnecessary radiation (EMI).
(FR)L’invention rend possible la mise à disposition d’un dispositif de traitement d’image par micro région en mesure d’effectuer un balayage à grande vitesse avec une haute résolution tout en éliminant l’influence négative d’un bruit extérieur et un changement du niveau de courant continu du courant du substrat. Le dispositif de traitement d’image par micro région inclut une unité de rayonnement par faisceau électronique (102) pour appliquer un faisceau électronique X à une tranche de semi-conducteurs (10) en tant qu’objet de traitement d’image. Ce dispositif inclut aussi une unité de détection de courant (110) pour détecter un composant à courant alternatif du courant du substrat i généré par le rayonnement du faisceau électronique X. Ce dispositif comprend enfin une unité de génération de données d’image (120) pour générer des données d’image indiquant l’état de la surface de la tranche de semi-conducteurs (10) selon la sortie “out” de l’unité de détection de courant (110). Au lieu de détecter directement le courant du substrat i généré par le rayonnement du faisceau électronique X, son composant à courant alternatif est détecté. Par conséquent, même si une dérive de courant est causée par la charge initiale, il est possible d’effectuer correctement le traitement d’image sans que celui-ci ne soit affecté négativement par la dérive de courant. De plus, le traitement d’image n’est pas vraiment influencé négativement par le bruit extérieur tel qu’une vibration, un bruit thermique ou un rayonnement non nécessaire (perturbation électromagnétique)
(JA) 本発明は、外来ノイズや基板電流の直流レベルの変化の影響を受けにくく、高解像度で高速スキャンが可能な微細領域撮像装置を提供することを目的とする。本発明による微細領域撮像装置は、撮像対象物である半導体ウェハ10に電子ビームXを照射する電子ビーム照射部102と、電子ビームXの照射によって発生した基板電流iの交流成分を検出する電流検出部110と、電流検出部110の出力outに基づいて、半導体ウェハ10の表面状態を示す画像データを生成する画像データ生成部120とを備える。本発明は、電子ビームXの照射によって発生した基板電流iをそのまま検出するのではなく、その交流成分を検出していることから、初期帯電によって電流ドリフトが発生したとしても、その影響を受けることなく、正しく撮像を行うことが可能となる。また、振動・熱雑音・不要輻射(EMI)などの外来ノイズの影響も受けにくくなる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)