(EN) In a Method for patterning a chemically amplified resist layer, the resist layer is provided on a substrate, the resist layer comprising resist molecules in a first state with a first solubility. Predetermined regions of the resist layer are exposed to a first radiation to generate a catalytic species in the exposed predetermined regions of the resist layer. The resist layer is exposed to a second radiation and resist molecules in the predetermined regions of the resist layer are converted from the first state into a second state with a second solubility, the conversion of a resist molecule being catalyzed by the catalytic species, and the activation energy of the catalyzed conversion of the resist molecule being lowered by the absorption of the second radiation in the resist molecule. The resist layer is developed with a predetermined developer.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de structurer une couche d'épargne amplifiée sur le plan chimique, ladite couche étant placée sur un substrat et comprenant des molécules d'épargne dans un premier état avec une première solubilité. Des régions prédéterminées de la couche d'épargne sont exposées à un premier rayonnement, aux fins de production d'espèces catalytiques dans les régions prédéterminées exposées de la couche d'épargne. La couche d'épargne est exposée à un second rayonnement et des molécules d'épargne dans les régions prédéterminées de la couche d'épargne sont converties du premier état à un second état avec une seconde solubilité, la conversion d'une molécule d'épargne étant catalysée par les espèces catalytiques et l'énergie d'activation de la conversion catalysée de la molécule d'épargne étant réduite par l'absorption du second rayonnement dans la molécule d'épargne. La couche d'épargne est développée au moyen d'un développant prédéterminé.