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1. (WO2006123881) SILICON-GERMANIUM PHOTODIODE FOR IMAGE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/123881    International Application No.:    PCT/KR2006/001817
Publication Date: 23.11.2006 International Filing Date: 16.05.2006
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F Yewon Bldg, 75-1, Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Byoung Su [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Byoung Su; (KR)
Agent: LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13, Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Priority Data:
10-2005-0042299 20.05.2005 KR
Title (EN) SILICON-GERMANIUM PHOTODIODE FOR IMAGE SENSOR
(FR) PHOTODIODE A SILICIUM-GERMANIUM DE CAPTEUR D’IMAGE
Abstract: front page image
(EN)A photodiode for an image sensor having an improved light sensitivity and decrease in size over a silicon-based photodiode and a manufacturing method of the photodiode are provided. The photodiode for the image sensor has a silicon-germanium alloy layer, which contains germanium of 0.1 to 15 wt% with respect to a weight of silicon-germanium alloy, formed on a silicon substrate and a photodioderegion formed on the silicon-germanium alloy layer. Since the light absorbance of germanium is high, the photodiode in which a relatively thin silicon- germanium alloy layer is formed has a superior property of optical sensing to a conventional silicon-based image sensor. Accordingly, the silicon-germanium alloy layer thinner than a silicon layer used in a conventional image sensor can be used for absorbing sufficient light so as to decrease in size of the image sensor using the photodiode. In addition, it is possible to operate the photodiode at a high speed due to rapid transport of charges in the silicon-germanium alloy layer.
(FR)L’invention concerne une photodiode d’un capteur d’image présentant une meilleure photosensibilité et une réduction de taille par rapport à une photodiode à silicium, et son procédé de fabrication. La photodiode du capteur d’image comprend une couche en alliage silicium-germanium, qui contient un pourcentage pondéral de germanium de 0,1 à 15 % du poids total de l’alliage, formée sur un substrat de silicium et une zone de photodiode formée sur la couche en alliage. Comme la capacité d’absorption optique du germanium est élevée, la photodiode intégrant une couche en alliage silicium-germanium relativement fine présente une excellente propriété de photosensibilité par rapport à un capteur d’image à silicium classique. Ainsi, la couche en alliage silicium-germanium plus fine qu’une couche de silicium utilisée dans un capteur d’image classique offre une bonne absorption optique tout en permettant de réduire la taille du capteur d’image employant la photodiode. En outre, la photodiode peut fonctionner à une vitesse élevée en raison du transport rapide des charges dans la couche en alliage silicium-germanium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)