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1. (WO2006123463) POLISHING PAD, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID POLISHING PAD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/123463    International Application No.:    PCT/JP2006/303454
Publication Date: 23.11.2006 International Filing Date: 24.02.2006
Chapter 2 Demand Filed:    22.12.2006    
IPC:
B23B 5/00 (2006.01), B23B 5/46 (2006.01), B24B 37/20 (2012.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: TOYO TIRE & RUBBER CO., LTD. [JP/JP]; 17-18, Edobori 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5508661 (JP) (For All Designated States Except US).
KIMURA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAI, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATANABE, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIMURA, Tsuyoshi; (JP).
NAKAI, Yoshiyuki; (JP).
WATANABE, Masahiro; (JP)
Agent: KAWAMIYA, Osamu; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
2005-145599 18.05.2005 JP
Title (EN) POLISHING PAD, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID POLISHING PAD
(FR) TAMPON A POLIR, SON PROCEDE DE PRODUCTION, ET PROCEDE DE PRODUCTION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT TAMPON A POLIR
(JA) 研磨パッド、その製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a polishing pad, which can simultaneously solve problems such as the occurrence of scratches, a variation or a deterioration in polishing rate, a large variation of a polishing amount within a wafer plane, excess consumption of polishing slurry, and an impossibility to hold proper slurry between a polishing object and the polishing pad, is particularly useful for maintaining the polishing rate at a proper value and for improving the in-plane homogeneity of the polishing object after polishing, and is productively very useful, e.g., for chemical mechanical polishing of semiconductor wafers and the like, and a process for producing the same. The polishing pad is formed of a polyurethane foam having a groove in the polishing face. The surface roughness (Ra) of the groove formed face, i.e., the side face and bottom face of the groove, is not more than 10. The process for producing a polishing pad comprises the step of changing the feed speed and the feed rate of a grooving blade stepwise to form, in the polishing face, a concentrically circular groove which is rectangular in section.
(FR)La présente invention fournit un tampon à polir, qui peut simultanément résoudre des problèmes tels que l'occurrence de rayures, une variation ou une détérioration du degré de polissage, une grande variation d'une quantité de polissage sur un plan d’une galette, la consommation excessive de boue de polissage, et une impossibilité de maintenir la boue de manière appropriée entre un objet à polir et le tampon à polir, qui est particulièrement utile pour maintenir le degré de polissage à une valeur appropriée et pour améliorer l’homogénéité dans un plan de l'objet à polir après le polissage, et qui est très utile sur le plan de la productivité, par exemple, pour le polissage mécanochimique de galettes semi-conductrices et analogues, et son procédé de production. Le tampon à polir est constitué d'une mousse de polyuréthane ayant une cannelure formée au niveau de la face de polissage. La rugosité de la surface (Ra) de la face où la cannelure est formée, à savoir, la face latérale et le face de dessous de la cannelure, n'est pas supérieure à 10. Le procédé de production d’un tampon à polir comprend l'étape consistant à changer la vitesse d'alimentation et le taux d'alimentation d'une lame destinée à former la cannelure par étapes pour former, sur la face de polissage, une cannelure concentrique circulaire qui a une section rectangulaire.
(JA) 本発明により、スクラッチの発生、研磨レートのバラツキや低下、研磨量のウエハ面内でのバラツキが大きいこと、研磨スラリの余分な消費、更に被研磨体と研磨パッドとの間の適切なスラリの保持が出来ないなどの課題を同時に解決し、研磨レートの適正値維持、被研磨体における研磨後の面内均一性の向上に特に有効であり、半導体ウエハ等のケミカルメカニカルポリッシングなどの生産上においてきわめて有効な研磨パッドおよびその製造方法を提供する。本発明は、研磨面内に溝を有する発泡ポリウレタンから形成される研磨パッドであって、該溝の側面および底面から成る溝の加工面が表面粗さ(Ra)10以下を有する研磨パッドおよび溝加工刃の送り速度と送り量とを段階的に変化させて研磨面に同心円状の断面形状が矩形である溝を形成する工程を含む研磨パッドの製造方法に関する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)