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Pub. No.:    WO/2006/123447    International Application No.:    PCT/JP2005/021299
Publication Date: 23.11.2006 International Filing Date: 18.11.2005
Chapter 2 Demand Filed:    05.03.2007    
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01), H01J 43/24 (2006.01)
Applicants: Kyoto University [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6068501 (JP) (For All Designated States Except US).
KIMURA, Kenjiro; (For US Only).
KOBAYASHI, Kei; (For US Only).
YAMADA, Hirofumi; (For US Only).
MATSUSHIGE, Kazumi; (For US Only)
Inventors: KIMURA, Kenjiro; .
YAMADA, Hirofumi; .
Agent: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Priority Data:
2005-144049 17.05.2005 JP
(JA) 電子ビーム露光装置
Abstract: front page image
(EN)An electron beam exposure device has a projector (8) for producing a two-dimensional light pattern (13); a microchannel plate (11) for producing an electron beam array that is based on the incident light pattern (13) and amplifying the electron beam array to emit a resultant amplified electron beam array (14); an electron beam lens section (12) for focusing the amplified electron beam array (14). The electron beam exposure device can produce a semiconductor element that is more finely processed for improved performance by using exposure with an electron beam. Further, the electron beam exposure device can reduce costs of the production because the exposure can collectively made by the two-dimensional pattern.
(FR)La présente invention décrit un dispositif d'exposition de faisceau d'électrons qui possède un projecteur (8) pour produire un motif de lumière bidimensionnel (13), une plaque de micro-canal (11) pour produire un réseau de faisceaux d'électrons basé sur le motif de lumière incidente (13) et pour amplifier le réseau de faisceaux d'électrons afin d'émettre un réseau de faisceaux d'électrons amplifié en résultant (14), ainsi qu'une section de lentille de faisceau d'électrons (12) pour concentrer le réseau de faisceaux d'électrons amplifié (14). Le dispositif d'exposition du faisceau d'électrons peut produire un élément à semi-conducteurs traité plus finement pour améliorer les performances grâce à une exposition avec le faisceau d'électrons. De plus, le dispositif d'exposition du faisceau d'électrons peut réduire les coûts de production car l'exposition peut être réalisée collectivement par le motif bidimensionnel.
(JA) 本発明の電子ビーム露光装置は、二次元の光パターン(13)を発生するためのプロジェクター(8)と、入射された光パターン(13)に基づく電子ビームアレイを生成し、その電子ビームアレイを増幅し、増幅電子ビームアレイ(14)として出射するためのマイクロチャネルプレート(11)と、増幅電子ビームアレイ(14)を集束するための電子ビームレンズ部(12)とを有する。上記電子ビーム露光装置は、電子ビームによる露光によって、より微細加工されて性能が向上した半導体素子を製造できる。また、上記電子ビーム露光装置は、上記露光を二次元パターンによる一括露光できるから、上記製造を低コスト化できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)