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1. (WO2006122957) MOS POWER DEVICE WITH HIGH INTEGRATION DENSITY AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/122957    International Application No.:    PCT/EP2006/062394
Publication Date: 23.11.2006 International Filing Date: 17.05.2006
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01)
Applicants: STMicroelectronics S.r.l. [IT/IT]; Via C. Olivetti, 2, I-20041 Agrate Brianza (IT) (For All Designated States Except US).
CURRO', Giuseppe [IT/IT]; (IT) (For US Only)
Inventors: CURRO', Giuseppe; (IT)
Agent: JORIO, Paolo; STUDIO TORTA S.r.l., Via Viotti, 9, I-10121 Torino (IT)
Priority Data:
TO2005A000343 19.05.2005 IT
Title (EN) MOS POWER DEVICE WITH HIGH INTEGRATION DENSITY AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
(FR) DISPOSITIF MOSFET A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION NOTAMMENT DE VDMOS, PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)MOSFET device formed in a semiconductor layer (12) overlaid by an insulated-gate structure (13, 14, 21) having at least two gate electrodes (14), of semiconductor material, which extend at a distance from one another and delimit between them a strip-shaped opening (15). The semiconductor layer accommodates a strip-shaped body region (19), which in turn accommodates a source region (20). A source-contact metal region (29) extends at least partially in the opening (15) and is in electrical contact with the body region (19) and the source structure (20, 25). The opening (15) is formed by elongated windows (15a) and contact cells (18) extending between pairs of consecutive elongated windows. The elongated windows (15) are filled with dielectric spacer material (26), and the metal contact structure (29) has first portions extending above the opening (15) at the elongated windows (15a) and second portions extending within the opening at the contact cells (18) and in direct electrical contact with the source structure (20, 25).
(FR)La présente invention concerne un dispositif MOSFET formé dans une couche semi-conductrice (12) surplombée par une structure de grille isolée (13, 14, 21) comportant au moins deux gâchettes (14) en matériau semiconducteur qui s'étendent à une certaine distance l'une de l'autre et délimitent entre elles une ouverture (15) en forme de bande. La couche semi-conductrice comporte une région corps (19) en forme de bande qui à son tour, comporte une région source (20). Une région métallique (29) en contact avec la source s'étend au moins partiellement dans l'ouverture (15) et se trouve en contact électrique avec la région corps (19) et la structure source (20, 25). L'ouverture (15) est formée par des fenêtres allongées (15a), des cellules de contact (18) s'étendant entre des paires de fenêtres allongées consécutives. Les fenêtres allongées (15) sont emplies de matériau (26) d'espaceur diélectrique et la structure (29) de contact métallique comporte des premières parties s'étendant au-dessus de l'ouverture (15) au niveau des fenêtres allongées (29), ainsi que des deuxièmes parties qui s'étendent dans l'ouverture au niveau des cellules de contact (18) et qui sont en contact électrique direct avec la structure source (20, 25).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)